[发明专利]一种实现片上输入输出50欧姆匹配的低噪声放大器

权利要求书

1.一种实现片上输入输出50欧姆匹配的低噪声放大器，包括输入匹配电路、共源共栅结构放大电路和输出匹配电路；

所述输入匹配电路由输入端电感L1、MOS管M1、并联电容C1以及与MOS管M1相连的源极电感L2组成；输入端RFin的射频信号通过输入端电感L1输入到MOS管M1的栅极，MOS管M1的源极通过源极电感L2接地，同时并联电容C1并联在MOS管M1的栅极和源极两端；

所述共源共栅结构放大电路包括由MOS管M1和M2组成的共源共栅放大电路、电感L1、以及由电阻R1、电阻R2和MOS管M3组成的直流偏置电路；其中，MOS管M3和MOS管M1组成电流镜结构用于实现所述MOS管M1的电流偏置；MOS管M2的源极连接到MOS管M1的漏极，MOS管M3的栅极接到电源VDD上，MOS管M3的漏极通过电感L3连接到电源VDD上；电阻R1一端连接到电源VDD上，另一端与栅漏相接的MOS管M3的漏极相连，MOS管M3的源极接地；所述电阻R2的两端分别与MOS管M3的栅极和电感L1的输入端相接，从而为MOS管M1提供直流偏置；

所述输出匹配电路包括电感L3、电容C2和电容C3组成；所述电容C2和电容C3的一端共同接在MOS管M5的漏极，所述电容C2的另一端接地，所述电容C3的另一端接在电路的输出端RFout；

在电源VDD与接地之间设有一旁路电容C4，以减小电源噪声对电路噪声性能的影响；

通过所述输入匹配电路同时实现噪声匹配和功率匹配。

2.根据权利要求1所述实现片上输入输出50欧姆匹配的低噪声放大器，其中，所有的有源和无源器件均用chrt0.18um CMOS集成电路工艺集成在同一半导体衬底上。

3.根据权利要求1所述实现片上输入输出50欧姆匹配的低噪声放大器，其中，所有的MOS管均采用1.8V深N阱器件，以减小MOS管的衬底偏置效应对电路造成的影响。