[发明专利]ESD保护有效
| 申请号: | 201310647833.2 | 申请日: | 2013-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN103855703B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
| 发明(设计)人: | 克劳斯·莱曼;汉斯-马丁·里特;沃尔夫冈·施尼特;安可·赫琳哈 | 申请(专利权)人: | 安世有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 麦善勇,张天舒 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | esd 保护 | ||
1.一种ESD保护电路,包括:
在返回线和要保护的信号线(20)之间的至少两个半导体组件的第一串联连接,所述第一串联连接包括连接到信号线的第一保护组件和与第一保护组件串联连接到返回线的第二保护组件,其中在信号线和返回线之间以正向导通方向连接第一保护组件(22a),且在信号线和返回线之间以反向导通方向连接第二保护组件(22b);
在信号线和返回线之间的至少两个保护组件(26a、26b)的第二串联连接,所述第二串联连接包括极性相反串联的第三保护组件(26a)和第四保护组件(26b),其中在信号线和第四保护组件之间以反向导通方向连接第三保护组件(26a),且在第三保护组件和返回线之间以正向导通方向连接第四保护组件(26b);以及
第一偏置电压源,所述第一偏置电压源通过第一偏置阻抗连接到第一串联连接的两个保护组件之间的连接点。
2.根据权利要求1所述的电路,其中第一保护组件(22a)的电容小于第二保护组件(22b)的电容。
3.根据权利要求1所述的电路,包括:
在信号线和返回线之间的至少两个保护组件(22a、22b)的第一串联连接,所述第一串联连接包括第一保护组件(22a)和第二保护组件(22b),通过第一偏置阻抗连接到第一保护组件和第二保护组件之间的结点的所述第一偏置电压源;以及
第二偏置电压源,所述第二偏置电压源通过第二偏置阻抗连接到第三保护组件和第四保护组件之间的连接点。
4.根据权利要求3所述的电路,其中第一偏置阻抗由第一偏置电阻器(28a)、第一噪声阻断二极管(24a)、或者串联的第一偏置电阻器(28a)和第一噪声阻断二极管(24a)构成;以及
第二偏置阻抗由第二偏置电阻器(28b)、第二噪声阻断二极管(24b)、或者串联的第二偏置电阻器(28b)和第二噪声阻断二极管(24b)构成。
5.根据权利要求4所述的电路,其中所述第一偏置电压源为正,而第二偏置电压源为负,且第一偏置电压源在第一噪声阻断二极管的阳极侧,而第二偏置电压源在第二噪声阻断二极管的阴极侧。
6.根据权利要求3到5中的任何一个所述的电路,其中第一保护组件和第二保护组件(22a、22b)是在它们的阴极处连接的背对背二极管,且第三保护组件和第四保护组件(26a、26b)是在它们的阳极处连接的背对背二极管。
7.根据权利要求3到5中的任何一个所述的电路,其中第二保护组件(22b)和第四保护组件(26b)包括具有大于20V的击穿电压的二极管,这些二极管中的至少一个在保护事件期间反向导通。
8.根据权利要求1所述的电路,其中第一保护组件和第二保护组件每个都是二极管,其中第一保护组件的阳极连接到信号线且第二保护组件的阳极连接到返回线,这些二极管中的至少一个在保护事件期间反向导通。
9.根据权利要求1所述的电路,其中所述电路形成为单个封装。
10.根据权利要求1所述的电路,还包括功率传感器,用于测量信号线上的功率电平。
11.一种RF天线电路,包括天线和根据任一前述权利要求中所述的ESD保护电路,其中信号线包括天线馈电线。
12.根据权利要求11所述的RF天线电路,包括GSM天线电路。
13.根据权利要求11或12所述的RF天线电路,其中ESD保护电路包括功率传感器,用于测量信号线上的功率电平,其中所述天线电路包括阻抗匹配电路,所述阻抗匹配电路接收功率传感器信号作为输入。
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