[发明专利]像素结构、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种像素结构、阵列基板及显示装置。

背景技术

随着薄膜场效应晶体管液晶显示（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器件生产成本降低、制造工艺的日益完善，TFT-LCD已经取代了阴极射线管显示成为平板显示领域的主流技术。

由于生活水平的日益提高，客户对显示器件的要求也进一步提高，高刷新频率，高显示品质的显示器件成为主流，同时为加强产品竞争力，降低显示器件成本也成为广大生产厂商的必然选择。

LCD显示分为扭曲向列型（TN）、垂直场切换型（VA）、平面场切换型（IPS）、高级超维场切换型（ADS）等显示方式。其中TN、VA利用垂直电场驱动液晶转动，以实现对灰阶的控制，通常需要在下基板（阵列基板）和上基板（彩色滤光片基板）的表面加垂直电场，液晶在垂直电场的作用下进行旋转并呈现为我们需要的状态。然而，垂直电场驱动的LCD显示视角较窄，即在不同的方向观察时，不同灰阶下的画面会发生反转现象，例如当客户在侧方向观看时，会发现画面中的人物的面部颜色发生显著的色偏变化，此时灰阶翻转现象的发生严重的影响了客户的视觉体验，无法实现更高的产品附加值。

为解决这一问题，先后开发出了平面场切换型显示器件和高级超维场切换型显示器件，平面场切换型显示技术利用处于同一水平面上的电极产生水平方向的电场驱动液晶旋转，由于该模式下液晶主要沿水平方向进行取向，故在其他各个方向观看时光学延迟量较小，即不容易产生灰阶反转，实现更好的色彩品质；高级超维场切换型在平面电场的基础上增加了一部分垂直方向的电场，从而驱动更多的液晶进行旋转，提高了面板透过率，降低了背光模组生产成本。高级超维场切换型显示器件的像素结构中，需要存在一个较大的存储电容。为进一步提高产品品质特别是动态画面的成像质量，高频驱动显示器件受到更多生产厂商的青睐，由于高级超维场切换型显示器件的像素结构中存在较大的存储电容（storage capacitance）,故其在高频驱动时其扫描线需要更高的负载，由此需要增加扫描线的宽度，但这样势必将减小开口率，进而引起背光模组成本上升。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储电容较小，同时保持了较高的透过率、工艺良率的像素结构、阵列基板及显示装置。

本发明的像素结构，包括第一电极和位于第一电极下方的第二电极，第一电极与第二电极之间不导通，所述第一电极包括多个条状且平行等距排列的第一电极部以及位于相邻的第一电极部之间的多个第一缝隙，所述第二电极包括多个条状且平行等距排列的第二电极部以及位于相邻的第二电极部之间的多个第二缝隙，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影存在交叠，所述第二电极包括多个条状且平行等距排列的第三电极部，每个第二电极部的一端与相邻的第二电极部的一端通过一个所述第三电极部连接。

本发明的像素结构，其中，所述第三电极部与所述第一电极的第一电极部平行。

本发明的像素结构，其中，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影之间的夹角的取值范围为大于3度且小于21度。

本发明的像素结构，其中，所述第一电极的第一电极部的向下垂直投影与第二电极的第二电极部的向下垂直投影之间的夹角为11度。

本发明的像素结构，其中，所述第一电极的所有第一电极部通过第一连接条并联，第二电极部的所有第三电极部和第二电极部通过第二连接条并联。

本发明的像素结构，其中，第一缝隙的宽度在3-6um之间，第一缝隙与第二缝隙等宽。

本发明的像素结构，其中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。

本发明的像素结构，其中，所述第二电极为像素电极，所述第一电极为公共电极。

本发明的阵列基板，包括本发明的像素结构。

本发明的显示装置，包括本发明的阵列基板。

本发明的技术方案减小了存储电容，将第二电极进行狭缝图案化的设计，在减小存储电容的基础上，保持了较高的透过率、工艺良率。

附图说明

图1为本发明的像素结构的实施例中的第一电极和第二电极的俯视图，示出了第一电极和第二电极的结构以及之间的位置关系；

图2为现有技术中的像素结构中第一电极和第二电极的俯视图。

具体实施方式