[发明专利]一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法

权利要求书

1.一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于包括如下步骤：

1）将单晶半导体基片（1）清洗干净；

2）将单晶半导体基片（1）沿着待检测面（2）同一直线方向加工出一个或者多个微沟槽（3）；

3）在单晶半导体基片（1）的微沟槽（3）的背面施加压力，使单晶半导体基片（1）在力的作用下沿着微沟槽（3）的方向裂成两半，完成单晶半导体基片（1）的检测截面（6）的制样；

4）将裂开的单晶半导体基片（1）的检测截面（6）水平放在光学显微镜下观察，移动单晶半导体基片（1），使待检测面（2）与检测截面的交界线（8）出现在可视区域（10），调整光学显微镜镜头倍率，拍出检测截面（6）上该区域的光学显微图片，测量检测截面（6）上的裂纹（7）到待检测面（2）与检测截面（6）的交界线（8）之间的最大距离（9），完成单晶半导体基片（1）亚表面微裂纹的检测工作。

2.根据权利要求1所述的单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于：所述单晶半导体基片（1）为单晶硅片、单晶蓝宝石基片和单晶碳化硅基片超硬半导体基片，厚度为0.1～10mm。

3.根据权利要求1所述的单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于：所述步骤1)中单晶半导体晶片（1）清洗步骤为用清洗剂进行超声清洗、去离子水清洗和烘干，清洗剂为丙酮、酒精或者电子清洗剂DZ-1，DZ-2。

4.根据权利要求2所述的单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于：所述步骤2）中加工微沟槽（3）时所用设备为晶圆激光切割机或晶圆雕刻机。

5.根据权利要求2所述的单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于：所述步骤2)中加工微沟槽（3）时晶圆激光切割机的电源实际输出电流值为10～40A，切割速度为0.1～3mm/s。

6.根据权利要求2所述的单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于：所述步骤2）中加工的微沟槽（3）的深度为晶片厚度的1/8～2/3。

7.根据权利要求3所述的单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于：所述步骤3)中施加压力时使用的工具为裂片钳，包括有裂片钳双支撑块钳口（4）、裂片钳单支撑块钳口（5）及手柄，单晶半导体基片（1）置于裂片钳双支撑块钳口（4）与裂片钳单支撑块钳口（5）之间，将单晶半导体基片（1）沿着微沟槽（3）的方向裂开的具体过程为：将单晶半导体基片（1）放在裂片钳双支撑块钳口（4）的上方，微沟槽（3）朝下放置，裂片钳单支撑块钳口（5）从背面对准微沟槽（3），扳动裂片钳的手柄，使得单晶半导体基片（1）沿着微沟槽（3）裂开。

8.根据权利要求4所述的单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于：所述步骤4）中观察单晶半导体基片（1）的检测截面（6）时采用磁铁，铁块或者大理石等方块夹持，使得检测截面（6）平行于光学显微镜工作台。