[发明专利]一种铝及其合金蚀刻速度控制方法无效
| 申请号： | 201310642872.3 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103668211A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 魏立安;周国华;尹茂生;曹慧兰;胡润霞 | 申请（专利权）人： | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F1/36 | 分类号： | C23F1/36;C23F1/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610091 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 及其 合金 蚀刻 速度 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝及其合金蚀刻速度控制方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一，
从蚀刻槽中取出总量约10％的蚀刻液；所述蚀刻槽中含有蚀刻液体积在30m3-80m3，所述蚀刻液包括氢氧化钠：140-170g／L，硫化钠：13-18g／L，三乙醇胺38-45g／L，铝离子：35-65g/L；
步骤二，
将步骤一中的蚀刻液放入稀释槽中加纯水(体积比1：1)稀释冷却，使蚀刻液得到稀释，成为稀释液；
步骤三，
将步骤二中所制得的稀释液导入结晶槽进行结晶反应，生成Al(OH)3晶体和NaOH，结晶槽中的反应条件为：苛性比2.5-2.8，晶种系数1.0-1.7，时间为24小时，温度25-35℃；每升蚀刻液产出氢氧化铝晶体沉淀物约25克；
步骤四，
将步骤三中反应制得的物质放入沉淀池中进行固液分离，沉淀时间1-2小时后，上清液回流到蚀刻槽中，分离出的氢氧化铝晶体沉淀物按废物安全处置或利用。
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