[发明专利]用于高真空条件下的碳化硅吸波组件有效

专利信息
申请号: 201310642611.1 申请日: 2013-12-03
公开(公告)号: CN103762428A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 王浩;李艳臣;季琨;陈丽;彭光东 申请(专利权)人: 上海卫星装备研究所
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 真空 条件下 碳化硅 组件
【说明书】:

技术领域

发明涉及吸波材料技术领域,具体涉及一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件 

背景技术

天线作为空间飞行器的载荷,开机功率较大,空间飞行器的热设计需要重点关注。空间环境模拟器内部的热沉和真空容器壁以及工装吊具等全部为金属材料,金属材料对于微波具有很好的反射效果,天线发射的微波必然有很大比率反射回去,如果反射回来的微波功率超过一定量,就可能造成接收天线敏感元件的损坏。因此,为避免反射微波干扰其正常工作,通常需要对天线进行改装,安装有线负载以吸收微波能量,即真空热试验前先改装天线系统,接上有线负载,试验结束后再将有线负载拆除,将天线恢复原状。这种试验方式存在以下缺点: 

1)改装工作增加了试验工作量,且随着新一代产品的复杂度大幅增加,产品越来越细小,一方面改装将变得非常困难,另一方面即使进行改装,由于元件细小脆弱,在改装过程中面临着很大的风险,拆装前后的状态可能无法一致甚至使产品的可靠性降低,正在预研的更新一代产品的复杂程度提高了数倍,拆装有线负载带来的流程拖延和安全性风险将不可接受,因此,新一代产品难以沿用原有的试验方法; 

2)改装空间飞行器改变了天线系统的真实状态,影响试验的有效性,新一代产品的热设计也更加复杂,如果仍以有线负载模式进行真空热试验,将无法考察微波的热效应对于产品热设计的影响,因此必须进行实际模式的试验验证工作,通过直接进行真实的微波发射状态来完成试验,以考核微波发射对于热设计的影响程度。 

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述不足,提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,该吸波组件具有良好的吸波性和导热性,可用于耐真空可控温微波暗室的建设。 

为了达到上述的目的,本发明是通过以下技术方案实现的。 

一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,包括结构化基底和吸波劈尖,所述吸波劈尖通过二次压铸烧结与结构化基底成为整体。 

优选地,所述结构化基底为多个方锥组合形成的阵列结构。 

优选地,所述多个方锥包括热电偶方锥和普通方锥,所述普通方锥为实心结构,所述热电偶方锥内部设有热电偶安装孔。 

优选地,所述方锥为16个,采用4×4阵列单元,其中,每个单元的中心处均设有一个安装孔。 

优选地,为满足X波段吸波效果,所述方锥高度为40mm。 

优选地,所述用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,采用的材质为:通过在碳化硅中掺入氧化铝及石墨颗粒,经过高温烧结制得。 

与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果: 

⑴本发明的一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,为无机非金属材料,通过模具成型,再经过高温烧结,具有很低的挥发性,能够满足真空使用要求,同时具有良好的导热性。 

⑵本发明的一种用于高真空条件下的喷涂型吸波组件,通过调整氧化铝颗粒和石墨的比例,优化设计方锥的高度和角度,使得碳化硅吸波组件的吸波性能在目标频段内达到最优。 

⑶本发明的一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,通过优化结构设计,调整氧化铝颗粒和石墨比例,具有良好的吸波性能的同时又具有优良的导热性能,可以进行精确的外热流模拟,可用于耐真空可控温微波暗室的建设。 

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显: 

图1是一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件的主视图。 

图2是一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件的俯视图。 

图3是一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件的剖面图。 

图中:11为结构化基底,12为吸波劈尖,13为螺纹安装孔,14为热电偶安装孔。 

具体实施方式

下面对本发明的实施例作详细说明:本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。 

以下将结合图1至图3对本实施例作进一步的详细描述。 

本实施例提供了一种用于高真空条件下的碳化硅吸波组件,包括结构化基底和吸波劈尖,所述吸波劈尖通过二次压铸烧结与结构化基底成为整体。 

进一步地,所述结构化基底为多个方锥组合形成的阵列结构。 

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