[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一叠层结构，包括：

一第一叠层部，沿着一第一方向设置；

至少一第二叠层部，连接该第一叠层部并沿着一第二方向设置，该第二方向垂直该第一方向；及

至少一第三叠层部，连接该第一叠层部且沿着该第一方向与该第二叠层部交替排列，

其中该第三叠层部在该第二方向上的宽度小于该第二叠层部在该第二方向上的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，包括多个该第二叠层部与多个该第三叠层部，这些第二叠层部与这些第三叠层部在该第一方向上彼此的间距相等。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二叠层部具有一第一端与一第二端，该第二端相对于该第一端，且该第一端连接该第一叠层部。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第二叠层结构面对该第一叠层结构，该第二叠层结构包括：

一第四叠层部，沿着该第一方向设置；

至少一第五叠层部，连接该第四叠层部并沿着该第二方向设置；及

至少一第六叠层部，连接该第四叠层部且沿着该第一方向与该第五叠层部交替排列，

其中该第六叠层部在该第二方向上的宽度小于该第五叠层部在该第二方向上的宽度。

5.一种半导体结构，包括：

一第一叠层结构，包括：

一第一叠层部；

至少一第二叠层部，垂直于该第一叠层部；及

至少一第三叠层部，垂直于该第一叠层部，且与该第二叠层部交替排列；以及

一第二叠层结构，面对该第一叠层结构，包括：

一第四叠层部，平行于该第一叠层部；

至少一第五叠层部，垂直连接于该第四叠层部，且对应于该第三叠层部；

至少一第六叠层部，垂直连接于该第四叠层部，且对应于该第二叠层部。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，更包括：

至少一第一导电线，设置于该第二叠层部与该第五叠层部的一端。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该第一导电线与该第三叠层部之间具有一第三间距，该第一导电线与该第六叠层部之间具有一第四间距，该第三间距与该第四间距相等。

8.一种半导体结构的制造方法，包括：

交错叠层多个半导体层与绝缘层，这些半导体层是通过这些绝缘层互相分开；

图案化这些半导体层与这些绝缘层，以形成一衬底叠层结构，其中该衬底叠层结构包括至少一第一通孔；

在该第一通孔中填入导电材料；

刻蚀该衬底叠层结构，以形成一第一叠层结构与至少一衬底导电条，该第一叠层结构包括一第一叠层部、至少一第二叠层部及至少一第三叠层部，其中该第一叠层部沿着一第一方向设置，该第二叠层部与该第三叠层部垂直于第一叠层部，且在该第一方向上交错排列，该第三叠层部在一第二方向上的宽度小于该第二叠层部在该第二方向上的宽度，该第二方向垂直该第一方向；

形成一介电元件于该第一叠层结构上；

刻蚀部分该衬底导电条，以形成至少一第二通孔与至少一第一导电条，使该第一导电条位于该第二叠层部的一端；以及

形成多个第二导电条与多个导电岛于该第一叠层结构上，其中两个相邻的这些导电岛彼此可具有一间距，使相邻的两个这些导电岛彼此不会接触。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中在刻蚀该衬底叠层结构的步骤时，更包括：

同时形成该第一叠层结构与一第二叠层结构，该第二叠层结构面对第一叠层结构。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中该第二叠层结构包括：

一第四叠层部，平行于该第一叠层部；

至少一第五叠层部，垂直连接于该第四叠层部，且对应于该第三叠层部；

至少一第六叠层部，垂直连接于该第四叠层部，且对应于该第二叠层部。