[发明专利]一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包括依次制备在柔性基底上的电极一、p型或n型多晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、n型或p型非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为正极或负极。

2.根据权利要求1所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述柔性基底表面具有表面修饰层。

3.根据权利要求1所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述表面修饰层的材料为SiO₂和Si₃N₄，表面修饰层的厚度≥2μm。

4.根据权利要求1所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述p型或n型多晶硅薄膜的厚度≥10μm。

5.根据权利要求1所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅薄膜的厚度为10nm。

6.根据权利要求1所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述n型或p型非晶硅薄膜的厚度为10nm，其暗电导率不小于10^-5(Ω·cm)^-1量级。

7.根据权利要求1所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述电极一或电极二为导电氧化物薄膜或金属薄膜。

8.根据权利要求7所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述导电氧化物薄膜材料为掺铟氧化锡或掺铝氧化锌；所述金属薄膜材料为银或铝。

9.根据权利要求7或8所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述导电氧化物薄膜和金属薄膜在可见光范围内平均透过率不小于70％，电阻率不大于10^-3Ω·cm量级。

10.一种权利要求1所述的基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)选择柔性基底并进行表面清洗处理；

(2)制备电极一；

(3)采用PECVD或HWCVD技术在电极一上制备p型或n型非晶硅层，然后采用闪光灯退火法使其晶化为多晶硅薄膜；

(4)采用PECVD或HWCVD技术在p型或n型多晶硅薄膜上制备本征非晶硅薄膜；

(5)采用PECVD或HWCVD技术在本征非晶硅薄膜上制备n型或p型非晶硅薄膜；

(6)制备电极二。