[发明专利]柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法

权利要求书

1.柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，所述的太阳能电池结构为铜箔/p型单晶硅纳米线/非晶硅钝化层/n型硅薄膜/AZO/Ag，其特征在于所述制备方法包括如下步骤：

（1）在p型单晶硅上利用湿法腐蚀方法形成单晶硅纳米线；

（2）采用铜导电胶带将硅纳米线转移至铜箔上；

（3）利用PECVD方法在单晶硅纳米线上制备非晶硅钝化层和n型硅薄膜；

（4）利用ALD技术在n型硅薄膜上制备AZO层；

（5）利用磁控溅射方法在AZO层上制备Ag栅电极。

2.如权利要求1所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述p型单晶硅片的电阻率在0.5~1.5 Ωcm，厚度在180 μm；所述纳米线直径100-200nm，长度为3-10um。

3.如权利要求1所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的非晶硅钝化层的厚度为3-5nm，n型硅薄膜的厚度为10-20nm。

4.如权利要求1所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的利用ALD技术在n型硅薄膜上制备AZO层指：采用Zn(CH₂CH₃)₂ (DEZ)源和三甲基铝（TMA）源制备AZO层，厚度5~15nm，电阻率1×10^-3~1×10^-2 Ωcm。

5.如权利要求1所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的Ag栅电极的厚度为80-120nm。

6.柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，所述的太阳能电池结构为铜箔/n型单晶硅硅纳米线/非晶硅钝化层/p型硅薄膜/AZO/Ag ，其特征在于所述制备方法包括如下步骤：

（1）在n型单晶硅上利用湿法腐蚀方法形成单晶硅纳米线；

（2）采用铜导电胶带将硅纳米线转移至铜箔上；

（3）利用PECVD方法在单晶硅纳米线上制备非晶硅钝化层，再沉积p型硅薄膜；

（4）利用ALD技术在p型硅薄膜上制备AZO层；

（5）利用磁控溅射方法在AZO层上制备Ag栅电极。

7.如权利要求6所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述n型单晶硅片的电阻率在0.5~1.5 Ωcm，厚度在180 μm；所述纳米线直径100-200nm，长度为3-10um。

8.如权利要求6所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的非晶硅钝化层的厚度为3-5nm，p型硅薄膜的厚度为10-20nm。

9.如权利要求6所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的利用ALD技术在p型硅薄膜上制备AZO层指：采用Zn(CH₂CH₃)₂ (DEZ)源和三甲基铝（TMA）源制备AZO层，厚度5~15nm，电阻率1×10^-3~1×10^-2 Ωcm。

10.如权利要求6所述的柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的Ag栅电极的厚度为80-120nm。