[发明专利]一种低温去除硅中硼磷的方法无效
| 申请号： | 201310637020.5 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103693647A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李京伟;陈健;张涛涛;白枭龙;李彦磊;班伯源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 去除 硅中硼磷 方法 | ||
1.一种低温去除硅中硼磷的方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）将工业硅粉与镓基合金混合加热，直至完全熔化为液体，将液相混合物冷却，使硅重结晶析出，得到硅合金，其中硅粉与镓基合金的重量比为1：0.1-1：100，加热熔化温度为100-1400℃，重结晶的冷却速率为0.01-100℃/min；
（2）将步骤（1）得到的硅合金固液分离得到重结晶硅颗粒；
（3）将步骤（2）得到的重结晶硅颗粒，用酸酸洗，其中酸浓度为0.1-100wt%，硅与酸的重量比为1:0.1-1:200，酸洗温度为10-100℃，酸洗时间为0.5-100h；用去离子水漂洗、烘干，得到硼、磷杂质低的纯硅。
2.根据权利要求1所述的低温去除硅中硼磷的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的镓基合金为含铝、锡、锌、铜、镍、铁、钙、镁，或它们之间两种及两种以上的混合物，纯度为98-99.999%。
3.根据权利要求1所述的低温去除硅中硼磷的方法，其特征在于：步骤（2）中所述的固液分离方式为离心分离、抽滤或压滤。
4.根据权利要求1所述的低温去除硅中硼磷的方法，其特征在于：步骤（3）中所述的酸为硫酸、盐酸、王水、氢氟酸、硝酸、乙酸、醋酸，或它们之间两种及两种以上的混合酸。
5.根据权利要求1所述的低温去除硅中硼磷的方法，其特征在于：步骤（2）中所述的固液分离得到的镓基合金可循环用于工业硅的除硼磷。
6.根据权利要求1所述的低温去除硅中硼磷的方法，其特征在于：步骤（3）中所述的酸可循环利用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院等离子体物理研究所，未经中国科学院等离子体物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310637020.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
