[发明专利]一种CMOS集成温度传感器电路

权利要求书

1.一种CMOS集成温度传感器电路，其特征在于，所述温度传感器电路包括正温度系数电流产生电路、电流镜、电流控制振荡器电路和计数电路，其中：

所述正温度系数电流产生电路与外部电源连接，输出与绝对温度成正比的电流；

所述电流镜将与绝对温度成正比的电流按比例复制，输出与绝对温度成正比的多路同温度系数镜像电流；

所述电流控制振荡器电路在所述多路同温度系数镜像电流控制下工作，输出频率与控制电流成正比、同时与绝对温度成正比的周期性信号；

所述计数电路对所述电流控制振荡器输出的周期性信号进行计数，每次计数前，将计数电路进行复位，计数电路的输出更新一次计数结果，同时重新开始计数，从而实现对温度的精确检测，该计数值大小与绝对温度成正比，通过对计数时长进行调节，提高温度检测的精度。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生电路包括PNP三极管Q1和PNP三极管Q2、电阻R1、运算放大器U1和PMOS管PM1、PM2，PNP三极管Q1、Q2的发射极均与基极相连，接到地；PNP三极管Q1集电极与运算放大器U1一端相连，同时连接PMOS管PM1漏极；电阻R1连接在PMOS管PM2漏极与PNP三极管Q2集电极之间；运算放大器U1另一端连接在电阻R1与PMOS管PM2漏极之间；PMOS管PM1、PM2均与运算放大器U1输出端相连；PMOS管PM1、PM2源极及衬底均与外部电源相连；PMOS管PM1漏极流出第一偏置电流I1，PMOS管PM2漏极流出第二偏置电流I2，所述第一偏置电流I1和第二偏置电流I2相等，并与绝对温度成正比。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述运算放大器U1为采用CMOS工艺制作的运算放大器。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电流镜电路为采用CMOS工艺制作的电流镜，所述电流镜输出多路控制电流，所述多路控制电流与所述第一偏置电流I1、第二偏置电流I2成比例。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流控制振荡器采用多个电流控制反向延迟单元首尾相连构成，所述电流控制反向延迟单元数量为奇数。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电流控制反向延迟单元由电流控制反相器与电容构成，所述电容连接在所述电流控制反相器输出端与地之间。