[发明专利]可检测污染层的环境传感器有效

专利信息
申请号: 201310636598.9 申请日: 2013-12-02
公开(公告)号: CN103852110A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 艾利·阿莫尔·边赫迪;曼维·阿加瓦尔 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吕雁葭
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 检测 污染 环境 传感器
【权利要求书】:

1.一种环境传感器,其特征在于,包括:

包含光传感器的半导体衬底;

表层,环境光可以通过该表层传递到达光传感器;和

光源,该光源被设置为照亮表层,从而该表层反射该光源的至少一部分光到光传感器上;

其中,所述环境传感器被设置为通过比较坏境光和至少一个光传感器的反射光的测量值来确定该表层上污染层的存在。

2.根据权利要求1所述的环境传感器,其特征在于,包括至少一个另外的传感器。

3.根据权利要求1或2所述的环境传感器,其特征在于,所述光传感器和光源被集成在共同的半导体衬底中。

4.根据前述任一权利要求所述的环境传感器,其特征在于,所述光传感器,光源和另外的传感器分别集成在共同的衬底上,其中,至少一个另外的传感器位于所述衬底的第一区域,所述光源和光传感器位于所述衬底的第二区域,通过表层避免将第二区域暴露在环境中,将第一区域暴露在环境中。

5.根据前述任一权利要求所述的环境传感器,其特征在于,所述光源是LED装置。

6.根据前述任一权利要求所述的环境传感器,其特征在于,该环境传感器被设置为分析接收到的光的频谱来区分不同类的环境光源。

7.根据前述任一权利要求所述的环境传感器,其特征在于,所述表层在环境传感器的封装中,包括窗口。

8.根据前述任一权利要求所述的环境传感器,其特征在于,所述表层包括沉积在半导体衬底上的材料。

9.根据权利要求8所述的环境传感器,其特征在于,所述沉积在半导体衬底上的材料包括氮化硅,氮氧化硅或二氧化硅。

10.一种环境管理系统,其特征在于,包括至少一个根据前述任一权利要求所述的环境传感器。

11.一种操作环境传感器的方法,其特征在于,包括包含光传感器的半导体衬底、表层和光源,其中,环境光可以通过该表层传递到达光传感器,该光源被设置为照亮表层,从而该表层反射该光源的至少一部分光到光传感器上,该方法包括:

通过比较坏境光和至少一个光传感器的反射光的测量值来确定该表层上污染层的存在。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,还包括:

进行第一测量,包括鉴于光源关闭的情况,测量经过表层的环境光的强度;和

进行第二测量,包括鉴于光源开启的情况,测量到达光传感器的光的强度;和

将第二测量强度减去第一测量强度;和

用该相减的结果来确定反射光的强度。

13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,包括在没有环境光的情况下,通过光传感器测量没有污染层的表层反射光源后的光的强度,用作为干净透明表层的校准光强度特性。

14.根据权利要求11至13任一项所述的方法,其特征在于,分析接收到的光的频谱来区分不同类的环境光源。

15.根据权利要求11至14任一项所述的方法,其特征在于,包括使用环境光和反射光的频率特性来确定污染层的结构或厚度。

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