[发明专利]制造半导体晶圆的方法有效
| 申请号： | 201310634807.6 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103854991B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 中村由夫;市川大造;住泽春男;原史朗;耸嘛玩;池田伸一 | 申请（专利权）人： | 不二越机械工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 方法 | ||
1.一种制造半导体晶圆的方法，在该方法中从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆，所述方法包括：
标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过所述大直径半导体晶圆的每一行中的各个所述小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，圆形的所述小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和
切割步骤，在所述标记步骤之后通过激光束从所述大直径半导体晶圆中个别地呈圆形地切出所述小直径晶圆。
2.根据权利要求1所述的制造半导体晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括研磨步骤，所述研磨步骤研磨所述大直径半导体晶圆以使其具有所需的厚度，其中在所述研磨步骤之后进行所述标记步骤和随后的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的制造半导体晶圆的方法，其特征在于，所述直槽状定向平面线形成为使得所述直槽状定向平面线的两端到达待切出的所述小直径晶圆的边缘。
4.根据权利要求1或2所述的制造半导体晶圆的方法，其特征在于，基于所述大直径半导体晶圆的定向平面或缺口确定所述直槽状定向平面线的位置。
5.根据权利要求1或2所述的制造半导体晶圆的方法，其特征在于，切出半英寸尺寸的所述小直径晶圆。
6.根据权利要求1或2所述的制造半导体晶圆的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
外径精加工步骤，精加工切出的所述小直径晶圆以使其具有所需的外径；
倒角步骤，将所述小直径晶圆的外周倒角成预定形状；
蚀刻步骤，蚀刻倒角过的所述小直径晶圆；
镜面倒角步骤，使用精加工用磨石对倒角过的所述小直径晶圆的倒角部进行镜面加工；
抛光步骤，对镜面倒角过的所述小直径晶圆进行镜面加工；以及
精密清洗步骤，清洗通过抛光污染的所述小直径晶圆。
7.根据权利要求6所述的制造半导体晶圆的方法，其特征在于，使用倒角设备并采用同一磨石同时进行所述外径精加工步骤和所述倒角步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
