[发明专利]一种水平式LED芯片的固晶方法及采用该方法制备的LED光源

权利要求书

1.一种水平式LED芯片的固晶方法，其特征在于，包括以下步骤,

1）在PCB的固晶位设置贯穿绝缘层的凹穴，所述的凹穴配对设置，使每对凹穴分别与LED芯片的PN极相对应；

2）在所述的凹穴内注入导电胶；

3）将所述的LED芯片PN电极朝下放置在对应的固晶位且使P极和N极分别设置在对应的导电胶滴之上；

4）烘烤导电胶使之固化，完成固晶。

2.如权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述的导电胶为导电银胶。

3.如权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，还包括对所述的LED芯片的翻膜步骤，其包括以下子步骤，

1）将承载有PN电极朝上的LED芯片的蓝膜置放在扩张机的平台上，然后加热以使蓝膜软化；

2)覆盖一张白膜在LED芯片的上方并且上方施加压力以使白膜与芯片紧密粘合，此时蓝膜受热而白膜为冷，芯片会脱离蓝膜而粘附在白膜之上；

3）拉起白膜，使全部LED芯片移转到白膜上，即完成芯片的翻膜以匹配PN电极的倒转方向。

4.如权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述的水平式LED芯片的P极的高度大于N极。

5.如权利要求1所述的固晶方法，其特征在于，所述的水平式LED芯片的P极与N极相等高度。

6.一种采用如权利要求1所述的固晶方法制备的LED光源，其特征在于，包括PCB板和水平式LED芯片，所述的PCB板包括板体，设置在板体上的金道，覆盖在金道之上的防焊涂层，所述的防焊涂层在固晶位设置有与所述的LED芯片PN电极对应的通孔，所述的LED芯片的PN电极与所述的通孔上方并通过导电银胶与通孔处的金道固定连接。

7.如权利要求6所述的LED光源，其特征在于，所述的水平式LED芯片的P极的高度大于N极。

8.如权利要求6所述的LED光源，其特征在于，所述的水平式LED芯片的P极与N极相等高度。