[发明专利]微机电系统用可动质量块的制造方法

权利要求书

1.一种微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，其包括:

提供具有正面和反面的单晶硅;

在所述单晶硅的正面淀积牺牲层;

在所述牺牲层上淀积多晶硅种子层；

通过外延工艺在所述多晶硅种子层上生成多晶硅外延层；

采用深硅刻蚀工艺自所述多晶硅外延层上表面有选择的刻蚀出贯穿多晶硅外延层和多晶硅种子层的释放孔，以定义出多晶硅质量块；

经释放孔腐蚀去除所述多晶硅质量块周边的牺牲层，使所述多晶硅质量块释放成为可动结构。

2.根据权利要求1所述的微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，

所述牺牲层为在所述单晶硅正面淀积形成的有机高分子材料或者硅材料。

3.根据权利要求2所述的微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，

在所述单晶硅正面淀积形成的硅材料为二氧化硅，淀积厚底为500nm-2000nm。

4.根据权利要求3所述的微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，所述多晶硅种子层是通过低压化学气相沉积工艺在所述牺牲层上淀积形成的，其淀积厚度为50nm-1000nm；

所述外延工艺中的外延气体为SiH₄、SiH₂CL₂、SiHCL₃或者SiCL₄，外延温度为900℃-1200℃，多晶硅外延层的厚度大于20μm。

5.根据权利要求4所述的微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，

所述采用深硅刻蚀工艺自所述多晶硅外延层上表面有选择的刻蚀出贯穿多晶硅外延层和多晶硅种子层的释放孔，以定义出多晶硅质量块，为：

基于设计要求的可动质量块的位置和图形刻蚀出释放孔，使被释放孔包围的多晶硅外延层和多晶硅种子层形成符合设计要求的多晶硅质量块。

6.根据权利要求5所述的微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，

所述经释放孔腐蚀去除所述多晶硅质量块周边的牺牲层为，

腐蚀去除位于所述释放孔与所述单晶硅之间的二氧化硅，以及位于多晶硅质量块与所述单晶硅之间的二氧化硅层，以使单晶硅与多晶硅质量块分离。

7.根据权利要求5所述的微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，

所述腐蚀为采用气态氟化氢进行腐蚀或者采用氢氟酸溶液进行腐蚀。