[发明专利]一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法

权利要求书

1.一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法，其特征在于，在利用HARP工艺在浅沟槽内淀积一层SiO₂层的步骤之后，使用水蒸汽退火工艺形成无空隙的基于HARP工艺的SiO₂层；

该水蒸汽退火工艺的主步骤中，工艺温度为400℃至800℃；通入流量为0.5slm至10slm的水蒸汽（比例70%－85%）和氧气（比例15%－30%）的混合气，并通入总流量为5slm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气（比例0－100%）的混合气，工艺时间为5mins至60mins。

2.如权利要求1所述的器件隔离方法，其特征在于，所述水蒸汽退火工艺的主步骤之后采用工艺惰性气体退火步骤，该步骤为：工艺温度为1000℃至1100℃；工艺气体是总流量为10slm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气（比例0－100%）的混合气，工艺时间为5mins至60mins。

3.如权利要求2所述的器件隔离方法，其特征在于，所述水蒸汽退火工艺的主步骤之前包括两个步骤：

步骤S01：温度恢复步骤，工艺温度为300℃至600℃，工艺气体为氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气(Ar)比例0－100%）的混合气，总流量为5slm至30slm，工艺时间为10mins至60mins；

步骤S02：升温步骤，升温速率为2℃/min至15℃/min，升温到400℃至800℃，通入流量为0.5slm至10slm的水蒸汽（比例70%－85%）和氧气（比例15%－30%）的混合气，并通入总流量为5slm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气（比例0－100%）的混合气。

4.如权利要求2所述的器件隔离方法，其特征在于，所述水蒸汽退火工艺的主步骤和工艺惰性气体退火步骤之间包括两个步骤：

步骤S01：净化步骤，工艺温度为400℃至800℃，工艺气体是总流量为10slm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气（比例0－100%）的混合气，工艺压力为0.1Torr至780Torr，工艺时间为5mins至60mins；

步骤S02：升温步骤，升温速率为2℃/min至10℃/min，升温至1000℃至1100℃，工艺气体是总流量为10slm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气（比例0－100%）的混合气。

5.如权利要求2所述的器件隔离方法，其特征在于，所述工艺惰性气体退火步骤之后为降温步骤，所述降温步骤中，降温速率为1.5℃至2℃/min，工艺气体为总流量为10slm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气（比例0－100%）的混合气,降温至300℃至600℃。

6.如权利要求1所述的器件隔离方法，其特征在于，所述器件隔离方法应用于工作区关键尺寸为32nm至65nm的器件。