[发明专利]铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉及其制备方法和有机发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料技术领域，尤其一种铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉及其制备方法和有机发光二极管。

背景技术

OLED的全称Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管。它有很多的优势，其组件结构简单，生产成本便宜，自发光的特性，加上OLED的反应时间短，更有可弯曲的特性，让它的应用范围极广。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。

上转换荧光材料能够在长波（如红外）辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但于OLED的领域上，由上转换荧光材料制备成的荧光粉仍鲜见报道。

发明内容

本发明目的在于提供一种铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉。

针对上述目的，本发明提出一种铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉，所述荧光粉的化学通式为R₂SiCl₆：xTm³⁺；

其中：

x的取值范围为0.01～0.08，x优选为0.05；

R为锂、钠、钾、铷或铯。

本发明的另一发明目的在于提供铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法。

针对上述目的，本发明还提出一种铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其包括如下步骤：

（a）按照摩尔比为（0.8～1）：1：（0.01～0.08）称取R₂O，SiO和Tm₂O₃粉体；

（b）将步骤（a）中称取的三种粉体混合溶于盐酸中，从而得到反应液；

（c）往步骤（b）制得的所述反应液滴入草酸和氨水，从而得到沉淀物；

（d）把步骤（c）中得到的所述沉淀物进行过滤和洗涤；

（e）把步骤（d）中得到的所述沉淀物在900～1400℃下焙烧2～3小时，得到铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉R₂SiCl₆：xTm³⁺；其中：x的取值范围为0.01～0.08，R为锂、钠、钾、铷或铯。

进一步地，在所述的步骤（c）中，当得到的所述沉淀物为最大时，继续滴加所述氨水，把所述反应液PH值调节到8，静置所述反应液2小时。

进一步地，在所述的步骤（e）中，所述焙烧的温度为1200℃，所述焙烧的时间为3小时。

进一步地，在所述的步骤（e）中，x取值为0.05。

本发明的又一发明目的在于提供一种有机发光二极管。

针对上述目的，本发明提出一种有机发光二极管，其包括依次层叠的基板、阴极、发光层、阳极及透明封装层，所述透明封装层中掺杂有铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉，所述荧光粉的化学通式为R₂SiCl₆：xTm³⁺；

其中：x的取值范围为0.01～0.08，优选0.05；

R为锂、钠、钾、铷或铯。

本发明铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉的Tm³⁺离子发生²P_3/2→⁴I_15/2的跃迁辐射，从而形成482nm波长区的发射峰，所述铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉受有机发光二极管光照的红绿光激发，辐射出蓝光，与剩余部分红绿光混成白光。因此，本发明的铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光，可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。另外，本发明中制备所述荧光粉所用的化学共沉淀法具有组成均匀、纯度高、颗粒细、合成温度低等优点。

附图说明

图1为实施例1制得的铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉的光致发光光谱。

图2为实施例1制备的铥掺杂氯硅酸盐上转换发光的荧光粉的XRD图。

图3为实施例1制备的有机发光二极管的结构示意图。

图4为实施例1制备的有机发光二极管的光致发光谱图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。