[发明专利]一种纳米尺度EUV掩模的制备方法

权利要求书

1.一种纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，该方法首先制作出多层膜反射镜，再利用微纳米加工工艺技术得到图形化的电子束抗蚀剂，大面积沉积吸收体材料铬，用离子束刻蚀吸收体材料铬，在电子束抗蚀剂侧壁形成铬侧墙，最后去除电子束抗蚀剂，得到纳米尺度的EUV光刻掩模。

2.根据权利要求1所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

步骤1、在熔石英衬底表面上依次沉积反射层和保护层；

步骤2、在保护层表面旋涂电子束抗蚀剂，热处理后并进行电子束直写、显影；

步骤3、在显影后的保护层表面沉积吸收体材料铬；

步骤4、物理刻蚀吸收体材料铬，在电子束抗蚀剂侧壁形成铬侧墙；

步骤5、去除电子束抗蚀剂并进行清洗；

步骤6、特征尺寸及相对定位测量；

步骤7、缺陷检测与修补，完成纳米尺度EUV掩模的制作。

3.根据权利要求2所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，步骤1中所述在熔石英衬底表面上依次沉积反射层和保护层，采用的沉积方法为磁控溅射；其中反射层是由40层厚度共为272nm的Mo／Si多层膜构成，单层Mo厚度为2.8nm，单层Si厚度为4.0nm；保护层是厚度为3nm厚的SiO₂。

4.根据权利要求2所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，步骤2中所述在保护层表面旋涂的电子束抗蚀剂为ZEP520A，厚度为300～400nm，所述热处理是在120℃～180℃的烘箱中前烘40分钟；所述电子束直写后的显影是利用对二甲苯在室温环境下显影45秒，在异丙醇中定影35秒。

5.根据权利要求2所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，步骤3中所述在显影后的保护层表面沉积吸收体材料铬，采用的沉积方法为磁控溅射，吸收体材料铬的厚度为30～90nm。

6.根据权利要求2所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，步骤4中所述物理刻蚀是采用离子束刻蚀。

7.根据权利要求2所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，步骤5中所述去除电子束抗蚀剂是采用甲基丙烯酸甲酯(MMA)湿法剥离的方法实现的，所述清洗采用的清洗液为臭氧去离子水，将极紫外光刻的纳米尺度EUV掩模在臭氧去离子水中浸泡10～15分钟，在循环去离子水中清洗5～10次。

8.根据权利要求2所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，步骤6中所述特征尺寸及相对定位测量，是随机测量9点或者测量21点。

9.根据权利要求2所述的纳米尺度EUV掩模的制备方法，其特征在于，步骤7中所述缺陷检测与修补，关键尺寸的最小缺陷尺寸小于50nm，缺陷数应小于0.003个／cm²，输出缺陷的坐标位置，根据该坐标位置采用电子束或者聚焦离子束进行相应的修补。