[发明专利]第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法有效
| 申请号： | 201310631284.X | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103668460A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林昌弘;佐藤隆;木村千春;三好直哉;村上明繁;三宅信辅;和田纯一;皿山正二 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02;H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 13 氮化物 晶体 衬底 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种第13族氮化物晶体，其具有六方晶体结构，并包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子，其中
平行于c-轴的横截面中的底面位错的位错密度为104cm-2或更大。
2.根据权利要求1所述的第13族氮化物晶体，其中，平行于c-轴的横截面中的底面位错的位错密度高于横截面中的c-面的螺旋位错的位错密度。
3.根据权利要求1或2所述的第13族氮化物晶体，其中，螺旋位错的位错密度为103cm-2或更小。
4.根据权利要求1-3任一项所述的第13族氮化物晶体，所述第13族氮化物晶体包括碱金属。
5.一种第13族氮化物晶体衬底，其具有由根据权利要求1-4任一项所述的第13族氮化物晶体的c-面形成的主表面。
6.根据权利要求5所述的第13族氮化物晶体衬底，所述第13族氮化物晶体衬底包括碱金属。
7.根据权利要求6所述的第13族氮化物晶体衬底，其中，在从表面到10微米以内的区域中不包含碱金属。
8.一种制备第13族氮化物晶体的方法，包括：使在c-轴方向上也就是使c-面的横截面面积扩大的方向上延伸的第13族氮化物的针状籽晶晶体生长的晶体生长工艺，其中
晶体生长工艺中籽晶的a-轴方向的晶体生长速率高于15微米/小时。
9.根据权利要求8所述的制备第13族氮化物晶体的方法，还包含
热处理工艺，以便在m-轴方向上去除包含的碱金属。
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