[发明专利]用于透明氧化物电极的表面改性剂、表面改性的透明氧化物电极及其生产方法

权利要求书

1.一种透明氧化物电极的表面改性剂，包括由通式(1)代表的活性甲硅烷基化合物：

Rf-X-A-SiR¹_3-n(OR²)_n    (1)

其中

Rf是具有6至10个碳原子的芳香基基团，其可以具有烷基取代基，该烷基取代基具有1至5个碳原子，其中用氟原子取代至少一个氢原子，

X代表从-O-、-NH-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-OC(=O)NH-、-NHC(=O)NH-选择的二价基团，或单键，

A代表具有1至10个碳原子、芳香族二价烃基或单键的直链、支链或环式脂肪族二价烃基，

R¹是具有1至3个碳原子的单价烃基，

R²代表具有1至3个碳原子的单价烃基、乙酰基、丙酰基或者氢原子，以及

n是1至3的整数。

2.根据权利要求1所述的透明氧化物电极的表面改性剂，其中通式(1)中的X是单键。

3.根据权利要求1或2所述的透明氧化物电极的表面改性剂，其中所述透明氧化物电极选自由掺氟的锡氧化物、掺铝的锌氧化物、掺铟的锌氧化物、掺镓的锌氧化物、掺锡的铟氧化物和掺铌的钛氧化物构成的组。

4.一种通过用透明氧化物电极的表面改性剂涂覆透明氧化物电极形成的表面改性的透明氧化物电极，所述表面改性剂包括由根据权利要求1的通式(1)代表的活性甲硅烷基化合物，其中所述表面改性的透明氧化物电极具有至少20mN/m的表面自由能。

5.根据权利要求4所述的表面改性的透明氧化物电极，其中，在所述表面改性的透明氧化物电极的表面上，通过X射线光电子能谱获得的所述电极表面上包含的硅原子数与金属原子数的比值至少为0.04。

6.根据权利要求4所述的表面改性的透明氧化物电极，其中所述表面改性的透明氧化物电极的表面均方根粗糙度的改变量的绝对值不超过0.5nm。

7.根据权利要求4所述的表面改性的透明氧化物电极，其中所述表面改性的透明氧化物电极的表面改性层的平均厚度不超过3nm。

8.根据权利要求4所述的表面改性的透明氧化物电极，其中所述透明氧化物电极选自由掺氟的锡氧化物、掺铝的锌氧化物、掺铟的锌氧化物、掺镓的锌氧化物、掺锡的铟氧化物和掺铌的钛氧化物构成的组。

9.一种表面改性的透明氧化物电极的生产方法，包括以下步骤：

将包含有根据权利要求1的通式(1)代表的活性甲硅烷基化合物的用于透明氧化物电极的表面改性剂与所述透明氧化物电极的表面接触，并且

由此获得表面改性的透明氧化物电极，

其中所述表面改性的透明氧化物电极的表面功函数比所述接触步骤之前的所述透明氧化物电极的表面功函数大至少0.55eV。

10.根据权利要求9所述的表面改性的透明氧化物电极的生产方法，其中所述接触步骤是使用气相接触方法进行的，其中所述透明氧化物电极的表面暴露于气化的所述表面改性剂的气氛。

11.根据权利要求9所述的表面改性的透明氧化物电极的生产方法，包括在所述接触步骤之前活化所述透明氧化物电极表面的步骤。