[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号: | 201310631184.7 | 申请日: | 2013-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN103664190A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 应国兵;王鹏举;王乘;吴玉萍;李嘉;赵海伟;郭文敏 | 申请(专利权)人: | 河海大学 |
| 主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 沈振涛 |
| 地址: | 210000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多孔 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)凝胶的制备:将1~3重量份的增塑剂、5~30重量份的丙烯酰胺单体、1~8重量份的交联剂与100重量份的去离子水混合,制备预混液;在预混液中加入0.5-1重量份的分散剂、20~160重量份的氮化硅粉体和2~15重量份的烧结助剂,调pH至8~12,球磨2~15h,得凝胶;
(2)坯体的成型:凝胶经过真空除气,加入0.05~2重量份的引发剂和0.5~1重量份的催化剂,再次真空除气后注模成型,室温反应20~70分钟后凝胶交联固化后脱模;
(3)坯体的干燥:将脱模后的坯体于室温下自然干燥10~15天;
(4)坯体的排胶:坯体在箱式电阻炉中升温排胶;在排胶过程中,从室温至150℃,升温速率为0.5~1℃/min;从150℃~600℃,升温速率为0.2~0.5℃/min;并分别在100℃、200℃、300℃、400℃、500℃、600℃各保温一个小时;
(5)坯体的烧结:排胶后的坯体在常压氮气氛中烧结,从室温以5~15℃/min的速率升温至1750℃,保温1-3h后随炉冷却,即得。
2.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述增塑剂为聚丙烯酰胺,优选平均分子量为大于3000000的聚丙烯酰胺。
3.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述交联剂为N,N’-亚甲基双丙烯酰胺。
4.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述分散剂为聚丙烯酸铵,优选平均分子量为3000-5000的聚丙烯酸铵。
5.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述烧结助剂为氧化钇和氧化铝的混合物,所述氧化钇和氧化铝的质量比为(2~3):1。
6.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述引发剂为过硫酸铵,催化剂为N,N,N,N-四甲基乙二胺。
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