[发明专利]凸点式封装及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

第一半导体芯片，具有第一主表面上的第一接触垫；

第一凸点，被置于所述第一接触垫上；以及

第一焊料层，被置于所述第一凸点的侧壁上。

2.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一焊料层被置于所述第一凸点的所有四个侧壁和顶表面上。

3.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一凸点包括铁磁材料。

4.如权利要求3所述的封装，其中，所述铁磁材料包括镍、钴、铬和／或铁。

5.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一焊料层包括金、银、铂、锡、镍、锡铅、和／或锌合金。

6.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一半导体芯片包括分立的垂直晶体管。

7.如权利要求1所述的封装，进一步包括置于所述第一半导体芯片周围的密封剂。

8.如权利要求1所述的封装，进一步包括：

第二凸点，置于所述第一半导体芯片的第二接触垫上，所述第二接触垫被置于与所述第一主表面相对的第二主表面上，以及

第二焊料层，被置于所述第二凸点的侧壁上。

9.如权利要求8所述的封装，其中，所述第一焊料层被置于所述第一凸点的所有四个侧壁和顶表面上，以及其中，所述第二焊料层被置于所述第二凸点的所有四个侧壁和顶表面上。

10.如权利要求8所述的封装，其中，所述第二凸点是与所述第一凸点不同的材料。

11.如权利要求8所述的封装，其中，所述第一凸点包括铁磁材料，并且其中，所述第二凸点包括非磁性材料。

12.如权利要求11所述的封装，其中，所述非磁性材料包括铜、银和／或金。

13.如权利要求8所述的封装，进一步包括：

密封剂，被置于所述第一半导体芯片周围；以及

第二半导体芯片，其紧接所述第一半导体芯片被置于所述密封剂中，其中所述第二半导体芯片包括所述第一主表面上的第三接触垫和所述第二主表面上的第四接触垫。

14.如权利要求13所述的封装，进一步包括：

第三凸点，被置于所述第三接触垫上；

第三焊料层，被置于所述第三凸点的侧壁上；

第四凸点，被置于所述第四接触垫上；以及

第四焊料层，被置于所述第四凸点的侧壁上。

15.如权利要求14所述的封装，其中，所述第三焊料层被置于所述第三凸点的所有四个侧壁和顶表面上，以及其中，所述第四焊料层被置于所述第四凸点的所有四个侧壁和顶表面上。

16.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，具有第一主表面上的第一接触垫和第二主表面上的第二触垫；

磁性凸点，被置于所述第一接触垫上；以及

非磁性凸点，被置于所述第二接触垫上。

17.如权利要求16所述的器件，进一步包括：

第一焊料层，被置于所述磁性凸点的侧壁上；

第二焊料层，被置于所述非磁性凸点的侧壁上。

18.如权利要求17所述的器件，其中，所述第一焊料层被置于所述磁性凸点的所有四个侧壁和顶表面上。

19.如权利要求18所述的器件，其中，所述第二焊料层被置于所述非磁性凸点的所有四个侧壁和顶表面上。

20.如权利要求16所述的器件，其中，所述磁性凸点包括镍、钴、铬和／或铁，以及其中所述非磁性凸点包括铜、银和／或金。

21.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

在衬底中形成多个芯片，所述衬底具有第一主表面上的多个第一接触部，以及第二主表面上的多个第二接触部；

提供包括多个第一凸点的第一凸点框架；

将所述第一凸点框架与所述衬底的第一主表面附着；以及

分割所述衬底以形成各个单元。

22.如权利要求21所述的方法，进一步包括：

提供包括多个第二凸点的第二凸点框架；以及

将所述第二凸点框架与所述衬底的所述第二主表面附着。