[发明专利]一种等离激元共振太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201310630421.8 | 申请日: | 2013-12-02 |
公开(公告)号: | CN104681661A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 谭秀航 | 申请(专利权)人: | 青岛事百嘉电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/073 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 266700 山东省青岛*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离激元 共振 太阳能电池 制备 方法 | ||
技术领域
本发明提供了一种等离激元共振太阳能电池CdS/Au NP/CdTe太阳能电池的制备方法。
背景技术
电池经历了三代。CdS/CdTe薄膜太阳能电池是第二代太阳能电池,它不仅具有可见光响应系数高、对弱光响应好,而且制备技术简单、成本相对较低。但据有关研究报道18%的光电转化效率已经是CdS/CdTe薄膜太阳能电池的极限,但相对人们对能量的需求而言效率仍然很低,而且它的性能并不稳定,随着温度等有关因素的变化而发生改变。本文把等离子共振技术应用到CdS/CdTe薄膜太阳能电池中形成第三代等离激元共振太阳能电池CdS/Au NP/CdTe太阳能电池。是一种新型理想的太阳能电池。
发明内容
本发明的目的就是针对现有研究不足,提供一种等离激元共振太阳能电池CdS/Au NP/CdTe太阳能电池的制备方法。
其技术方案是:采本文是将Au纳米颗粒制备在CdS/CdTe 薄膜太阳能电池中间,形成CdS/Au NP/CdTe 等离激元共振太阳能电池,电池厚度1-2 微米,这种太阳能电池可以制备在价格比较便宜的玻璃、塑料、陶瓷等基底上。
本发明的特点是CdS/AuNP/CdTe等离激元共振太阳能电池的对可见光响应系数高,金纳米粒子的等离子共振峰也主要是在可见光谱区,局域等离子共振将会使太阳能电池的近场吸收和远场散射增强,增加电池的光电转换率,为新能源研究开辟新的领域。
具体实施方式
1、CdS 纳米薄膜的制备
先将30 ml 0.04 mol/l 的乙酸镉,30 ml 0.04 mol/l 的乙酸铵加入150 ml 的大口烧杯中混合均匀, 然后边搅动边把26 ml 1 mol/l 的氨水加入其中,再搅动几分钟,得到均匀的溶液,再把20 ml 0.05 mol/l 的硫脲加入混合溶液中得到反应液。把装有反应液的大口烧杯放入恒温水箱中,温度控制在80 0C 左右,沉淀时间选折40~90 分钟。
2、Au 纳米颗粒的制备
真空磁控阴极溅射法:真空磁控阴极溅射是用金做阴极靶材,先抽真空,当真空度达到某一范围时,在金靶上通以负高压,将发生辉光放电而产生等离子体,高速运动的等离子体碰撞溅射气体使其电离,从而带正电的离子向阴极金靶运动轰击金靶而使其发射金原子,金原子最后沉淀在基底上形成薄膜,经过退火后,将会形成大小均匀的类球形纳米颗粒。
3、CdTe 纳米薄膜的制备
CdTe是直接带隙p型半导体,禁带宽度为1.45eV,用浓硫酸和去离子水配置出1≤PH≤3 的酸性溶液500ml,将1 g的TeO2缓慢加入其中,边加入边搅拌,加入完成并静置一段时间后得到的是TeO2饱和溶液。取 140 ml TeO2饱和溶液加入 150 ml的反应杯中,再向反应杯中加入10 g的硫酸镉(CdSO4)粉末,放入磁子。将反应杯放入水浴烧杯中,再把水浴烧杯放置在恒温磁力搅拌器上,调节恒温磁力搅拌器温度到80 摄氏度,调节转速均匀电解液表面不出现漩涡。当温度达到80 摄氏度且溶液均匀后,将阳极电极和阴极衬底置入其中,加以恒流源,恒流源的电流要保证恒定电流密度为0.1 mA/cm2。反应时间一般5~30 分钟。
4、CdS/Au NP/CdTe 等离基元共振太阳能电池的制备
以CdTe/Au NP为衬底,在其上水浴法用由乙酸镉溶液、乙酸铵溶液、氨水溶液和硫脲溶液配制的反应液制备制备一层硫化镉纳米薄膜。温度控制在80 摄氏度,CdTe/AuNP 静置悬吊其中时,切记溶液不能没过CdTe/Au NP 样品,防止CdTe/Au NP完全被覆盖。一个小时后得到CdS/Au NP/CdTe 太阳能薄膜电池样品,用去离子水清洗干净,由真空干燥箱干燥。
CdS/Au NP/CdTe 太阳能薄膜电池的三层结构,最上面一层是硫化镉纳米薄膜,中间一层是离散分布的金纳米粒子,底层是碲化镉纳米薄膜,最下面的氧化铟锡导电玻璃。三层结构很清晰,薄膜很致密均匀。
另外,本发明创造不意味着说明书所局限,在没有脱离设计宗旨的前提下可以有所变化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛事百嘉电子科技有限公司;,未经青岛事百嘉电子科技有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310630421.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的