[发明专利]一种版图设计光刻工艺友善性检测方法

权利要求书

1.一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，包括：

提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；

将所述潜在工艺热点区域的图形数据转化为第一光刻目标图形，并对所述第一光刻目标图形进行第一光学邻近修正，获得第一光掩模目标图形；

对所述第一光掩模目标图形进行第一工艺偏差图形模拟，确定所述第一光刻目标图形中的第一工艺热点区域，其中，所述第一工艺偏差图形模拟的区域范围与第一光刻目标图形的区域相同；

对所述第一光刻目标图形进行第一工艺热点检测，生成潜在热点位置标记的第二光刻目标图形；

对所述第二光刻目标图形进行第二光学邻近修正，获得第二光掩模目标图形，其中，所述第二光学邻近修正的精度高于所述第一光学邻近修正；

对所述第二光掩模目标图形进行第二工艺偏差图形模拟，确定所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域，其中，所述第二工艺偏差图形模拟的区域范围与第二光刻目标图形的区域相同；

对第二光刻目标图形进行第二工艺热点检测，生成各项检测的热点位置标记，最终生成热点位置索引文件。

2.根据权利要求1所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述对原始目标图形数据进行过滤用以寻找易形成工艺热点的区域，以确定所述潜在工艺热点区域。

3.根据权利要求2所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，在对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤包括，寻找所述原始目标图形数据中具有凸角或凹角的图形，对所述凸角或凹角的顶点进行切边，根据切边的受限情况生成矩形区域，进而生成潜在工艺热点区域。

4.根据权利要求3所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述潜在工艺热点区域的大小为所述矩形区域的每边放大最小设计规则尺寸的1.5倍后生成的区域。

5.根据权利要求1所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述第一光学邻近修正中的迭代次数小于或等于所述第二光学邻近修正的1/2。

6.根据权利要求5所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述第一光学邻近修正为简略快速的光学邻近效应修正，其删除所有特殊处理程序并调高修正反馈因子以实现第一光刻目标图形的快速收敛。

7.根据权利要求1所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域是通过第一工艺热点检测生成的潜在热点位置放大一设定尺寸而获得。

8.根据权利要求7所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，若所述潜在工艺热点为线夹断，则所述设定尺寸为最大检测尺寸的一半、且小于隙的最小设计尺寸；若所述潜在工艺热点为线连接，则所述设定尺寸为最大检测尺寸的一半、且小于线的最小设计尺寸；若所述潜在工艺热点为孔接触不良，则所述设定尺寸为孔隙的最小设计尺寸的一半、且小于孔隙的最小设计尺寸。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述第一光刻目标图形的区域为所述第一工艺热点区域每边放大一个光晕大小，所述光晕的取值要大于或等于光学模型半径。

10.根据权利要求1-8任意一项所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述第二光刻目标图形的区域为所述第二工艺热点区域每边放大一个光晕大小，所述光晕的取值要大于或等于光学模型半径。