[发明专利]一种太阳能电池材料的制备方法在审
| 申请号: | 201310628808.X | 申请日: | 2013-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN104681658A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
| 发明(设计)人: | 谭秀航 | 申请(专利权)人: | 青岛事百嘉电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
| 地址: | 266700 山东省青岛*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明提供了一种太阳能电池材料的制备方法,特别是一种铜铟硒(CIS)太阳能电池材料的制备方法。
背景技术
进入21世纪以来,全球范围内能源和环境问题日益突出。太阳能具有取之不尽、用之不竭并且属于清洁能源等优点,成为解决能源短缺、环境污染和温室效应等问题的有效途径。薄膜太阳能电池兼具Si基太阳能电池高转换效率及
成本较低的优点,但由于技术或成本原因,到目前为止市场上并没有成本低廉并且吸收率高的太阳能电池材料。
为了克服上述问题,本发明公开了一种太阳能电池材料的制备方法,该材料具有能够调整光学能隙、吸收率高、抗辐射能力强和长期的稳定性等特点,是最有希望的薄膜太阳能电池材料之一。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术存在的缺陷,提供一种太阳能电池材料的制备方法。
其技术方案是:CIS薄膜的制备采用一步电沉积法,电沉积液中包含CuSO4、In2(SO4)3、SeO2、Na-cirate和KCl,其中柠檬酸钠Na-cirate是络合剂以利于Cu、In的共沉积,KCl的作用是用来增加电解液的导电能力。基底材料分别选用Mo片和表面镀Mo膜的玻璃片。所述的一种太阳能电池材料的制备方法,其特征是:将电沉积制备的CIS薄膜,采用真空退火工艺来改善电沉积CIS薄膜的结晶性能以及调节化学成分。本发明的特点可以调整光学间隙、吸收率高、抗辐射能力强和稳定性长等。
具体实施方式
CIS薄膜采用的是一步电沉积法,电沉积液中同时包含CuSO4、In2(SO4)3、SeO2、Na-cirate和KCl,其中柠檬酸钠Na-cirate是络合剂以利于Cu、In的共沉积,KCl的作用是用来增加电解液的导电能力。在电沉积过程中,不人为调节电解液的PH值。基底材料分别选用Mo片和表面镀Mo膜的玻璃片。Mo片用细砂纸打磨,在沉积前依次经过热碱溶液浸泡化学除油、有机溶剂清洗和去离子水超声清洗等过程,最后再取用少量待沉积的溶液浸泡衬底表面清洗,去掉残留物。表面镀Mo膜的玻璃片是在钠碱玻璃上采用溅射方法沉积一层厚度大约为1μm的Mo层,在沉积前用待沉积的溶液浸泡,以提高表面活性和附着力。
对于电沉积制备的CIS薄膜,次采用真空退火工艺进行处理。真空退火过程中,电沉积得到的CIS薄膜内部将发生再结晶及再生长过程,能够有效地消除二次相,促使电沉积的多余Cu2Se和In2Se3化合物进行固相反应生成单一黄铜矿相的CIS薄膜。电沉积的CIS相则由于再结晶生长过程,结晶性能也大为改善。
另外,本发明创造不意味着说明书所局限,在没有脱离设计宗旨的前提下可以有所变化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





