[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310628000.1 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103700704B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张金金,汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其包括：
栅电极层；
在所述栅电极层上的栅绝缘层；
隔着所述栅绝缘层在所述栅电极层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含沟道形成区；
在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层电接触的源电极层和漏电极层；
在所述源电极层和所述漏电极层上的阻挡膜，其中所述阻挡膜与所述氧化物半导体层的在所述源电极层和所述漏电极层之间的部分接触；以及
端子部分，包括由与所述栅电极层相同的材料形成的电极、所述电极上的所述栅绝缘层、由与所述源电极层相同的材料形成的端子、所述端子上的所述阻挡膜和透明导电层，
其中所述透明导电层通过所述阻挡膜的开口接触所述端子，
其中所述端子部分的所述电极处于电浮动，
其中所述源电极层和所述漏电极层的每个包含含有铜和锰的合金，以及
其中所述氧化物半导体层包含浓度小于或等于5×1019/cm3的钠。
2.一种半导体器件，其包括：
栅电极层；
在所述栅电极层上的栅绝缘层；
隔着所述栅绝缘层在所述栅电极层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含沟道形成区，
在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层电接触的源电极层和漏电极层，
在所述源电极层和所述漏电极层上的阻挡膜，其中所述阻挡膜与所述氧化物半导体层的在所述源电极层和所述漏电极层之间的部分接触；以及
端子部分，包括由与所述栅电极层相同的材料形成的电极、所述电极上的所述栅绝缘层、由与所述源电极层相同的材料形成的端子、所述端子上的所述阻挡膜和透明导电层，
其中所述透明导电层通过所述阻挡膜的开口接触所述端子，
其中所述端子部分的所述电极处于电浮动，
其中所述源电极层和所述漏电极层的每个包含含有铜和锰的合金，
其中在所述源电极层和所述漏电极层之间的所述氧化物半导体层的表面被蚀刻使得所述氧化物半导体层在所述源电极层和所述漏电极层之间的区域中的厚度比所述氧化物半导体层在所述源电极层和所述漏电极层下面的区域中的厚度要薄，以及
其中所述氧化物半导体层包含浓度小于或等于5×1019/cm3的钠。
3.一种半导体器件，包括：
栅电极层；
在所述栅电极层上的栅绝缘层；
隔着所述栅绝缘层在所述栅电极层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含沟道形成区，
在所述氧化物半导体层上的源区和漏区，
分别在所述源区和所述漏区上的源电极层和漏电极层；
在所述源电极层和所述漏电极层上的阻挡膜，其中所述阻挡膜与在所述源电极层和所述漏电极层之间的所述氧化物半导体层接触；以及
端子部分，包括由与所述栅电极层相同的材料形成的电极、所述电极上的所述栅绝缘层、由与所述源电极层相同的材料形成的端子、所述端子上的所述阻挡膜和透明导电层，
其中所述透明导电层通过所述阻挡膜的开口接触所述端子，
其中所述端子部分的所述电极处于电浮动，
其中所述源电极层和所述漏电极层的每个包含含有铜和锰的合金，以及
其中所述氧化物半导体层包含浓度小于或等于5×1019/cm3的钠。
4.如权利要求1、2或3中任一项所述的半导体器件，其中所述阻挡膜包含氧化铝。
5.如权利要求1、2或3中任一项所述的半导体器件，其中所述阻挡膜包含氧化硅。
6.如权利要求1、2或3中任一项所述的半导体器件，其中所述氧化物半导体层包含In、Ga和Zn。
7.如权利要求1、2或3中任一项所述的半导体器件，进一步包括电连接到所述源电极层和所述漏电极层其中之一的像素电极。
8.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述源区和所述漏区包含氧化物半导体材料并且含有晶粒。
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