[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

体半导体衬底；

在衬底上形成的鳍；

在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET，其中第一FinFET包括与所述鳍相交的第一栅堆叠以及位于第一栅堆叠侧壁上的第一栅侧墙，第二半导体器件包括与所述鳍相交的第二栅堆叠以及位于第二栅堆叠侧壁上的第二栅侧墙；

在第一FinFET和第二FinFET之间形成与鳍相交的伪栅侧墙；

自对准于伪栅侧墙所限定的空间的隔离部，所述隔离部将第一FinFET和第二FinFET电隔离；以及

位于隔离部下方、与隔离部相接的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，衬底中包括掺杂阱，绝缘层位于掺杂阱的上部且被限定于第一半导体器件和第二半导体器件之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，绝缘层与鳍相接并大致沿伪栅侧墙所限定的空间延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，隔离部包括侧壁基本上沿伪栅侧墙的内壁延伸的电介质材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠分别相对于第一栅侧墙和第二栅侧墙凹入，该半导体装置还包括分别设于第一栅侧墙和第二栅侧墙内侧第一栅堆叠和第二栅堆叠上方的电介质层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：在第一栅堆叠和／或第二栅堆叠各自的相对两侧至少部分地嵌入于鳍中形成的另外的半导体层，其中第一半导体器件和／或第二半导体器件各自的源／漏区至少部分地形成在所述另外的半导体层中。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中绝缘层面向第一FinFET的侧壁比隔离部面向第一FinFET的侧壁更靠近第一FinFET，绝缘层面向第二FinFET的侧壁比隔离部面向第二FinFET的侧壁更靠近第二FinFET。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：在第一FinFET和／或第二FinFET的区域中，在鳍下方形成的绝缘层。

9.一种制造半导体装置的方法，包括：

在体半导体衬底上形成鳍；

在衬底上一区域中，形成绝缘层，所述绝缘层穿过鳍下方且与鳍相接；

在体半导体衬底上在所述区域中形成与所述鳍相交的伪栅结构，并在伪栅结构的相对两侧分别形成与所述鳍相交的第一栅结构和第二栅结构；

在第一栅结构、第二栅结构和伪栅结构的侧壁上分别形成第一栅侧墙、第二栅侧墙和伪栅侧墙；

形成自对准于伪栅侧墙所限定的空间的沟槽，所述沟槽延伸到绝缘层；

在沟槽中填充电介质材料，形成隔离部。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在衬底上所述区域的相对两侧的第一器件区域和第二器件区域中，形成绝缘层，所述绝缘层穿过鳍下方且与鳍相接，其中在所述第一器件区域和第二器件区域中分别形成第一栅结构和第二栅结构。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成第一栅结构、第二栅结构和伪栅结构包括：

在衬底上形成栅介质层和栅导体层；以及

对栅导体层和栅介质层进行构图。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在第一栅侧墙和／或第二栅侧墙的相对两侧，形成至少部分地嵌入于鳍中的另外的半导体层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述另外的半导体层包括：

以各栅结构和栅侧墙为掩模，对鳍进行选择性刻蚀，以在其中形成凹槽；以及

在凹槽中外延生长所述另外的半导体层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，第一栅结构和第二栅结构为牺牲栅结构，该方法还包括：

在衬底上形成层间电介质层；

对层间电介质层进行平坦化，以露出第一牺牲栅结构和第二牺牲栅结构；

去除露出的第一牺牲栅结构和第二牺牲栅结构；以及

分别在第一栅侧墙和第二栅侧墙限定的空间内形成第一替代栅堆叠和第二替代栅堆叠。