[发明专利]一种半导体处理装置及应用于半导体处理装置的气体分布板

权利要求书

1.一种半导体处理装置，包括：

反应腔，反应腔内包括一个沿旋转轴旋转的基座，基座上设置有待处理基片，反应腔内与所述旋转基座相对的是一个供气系统；

所述供气系统包括一个气体分布腔和一个分流器，分流器接收来自气源的反应气体并通过第一输出端和第二输出端输出第一和第二处理气体到所述气体分布腔内；

气体分布腔包括面向所述基座的第一表面，第一表面包括多个通气孔联通到气体分布腔将反应气体供应到所述基片；

所述气体分布腔内还包括一个隔离壁将所述气体分布腔分隔成中心腔和环绕所述中心腔的外围腔，所述中心腔与所述第一输出端相联通接收第一处理气体，外围腔与所述第二输出端相联通接收第二处理气体；

其特征在于所述隔离壁与所述旋转轴具有不同距离。

2.如权利要求1所述半导体处理装置，其特征在于，所述隔离壁是多边形。

3.如权利要求2所述半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置用于化学气相沉积。

4.如权利要求1所述半导体处理装置，其特征在于，所述第一处理气体和第二处理气体具有不同的流量或者反应气体浓度。

5.如权利要求1所述半导体处理装置，其特征在于，所述分流器用以调节第一处理气体和第二处理气体的流量比例，或者反应气体浓度比例。

6.如权利要求1所述半导体处理装置，其特征在于，所述隔离壁与所述旋转轴具有最小距离R1和最大距离R2，所述隔离壁内侧的通气孔的气体流量具有第一气体流量F1，隔离壁外侧的通气孔的气体流量具有第二气体流量F2，

在R1到R2的过渡区域内，距离旋转轴具有相同距离的圆环上，具有F1流量的气孔与具有F2流量的比例为P，其中P随着与所述旋转轴距离增加而减少。

7.一种应用于半导体处理装置的气体分布板包括：底板和顶板，底板和顶板共同构成一个气体分布腔，所述底板包括一个气体扩散板，气体扩散板下表面包括多个气体通孔，气体扩散板边缘包括向上延伸的侧壁，与所述顶板配合共同构成气体分布腔；

气体分布板内包括至少一个隔离壁，将所述气体分布腔隔离成内腔和外腔，所述隔离壁在不同位置处与所述侧壁具有不同的距离。

8.如权利要求1所述气体分布板，其特征在于，所述侧壁呈圆环型，所述隔离壁呈多边形。

9.如权利要求1所述气体分布板，其特征在于，所述内腔和外腔均包括一个进气口以接受不同流量或浓度的处理气体。

10.如权利要求9所述气体分布板，其特征在于，所述进气口位于所述顶板上。