[发明专利]超低功耗振荡器

权利要求书

1.一种振荡器，其特征在于，其包括电容、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、反相器；

所述电容的一端与第一电源端相连，另一端作为信号振荡端与第二场效应晶体管的衬体相连，第二场效应晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连，

第一场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，漏极与信号振荡端相连，

第四场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，栅极与信号振荡端相连，漏极与反相器的输入端和第三场效应晶体管的衬体相连，第三场效应晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连，

反相器的输出端与第一场效应晶体管的栅极相连。

2.一种振荡器，其特征在于，其包括电容、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、反相器；

所述电容的一端作为信号振荡端，所述电容的另一端与第二电源端相连，

第二场效应晶体管的衬体与信号振荡端相连，其栅极、漏极和源极与第二电源端相连；

第一场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，漏极与信号振荡端相连，

第四场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连，其栅极与信号振荡端相连，其漏极与反相器的输入端和第三场效应晶体管的衬体相连，第三场效应晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连，

反相器的输出端与第一场效应晶体管的栅极相连。

3.根据权利要求1或2所述的振荡器，其特征在于，第一、第二、第三和第四场效应晶体管均为PMOS场效应晶体管，所述第一电源端为输入电压端，所述第二电源为接地端，

第二和第三PMOS场效应晶体管的基底连接第二电源端。

4.根据权利要求3所述的振荡器，其特征在于，第二场效应晶体管的衬体与其源极之间的寄生二极管、衬体与其漏极之间的寄生二极管、衬体与其基底之间的寄生二极管的PN结面积大于第一场效应晶体管的漏极和衬体之间的二极管的PN结面积，

第三场效应晶体管的衬体与其源极之间的寄生二极管、衬体与其漏极之间的寄生二极管、衬体与其基底之间的寄生二极管的PN结面积大于第四场效应晶体管的漏极和衬体之间的二极管的PN结面积。

5.根据权利要求1或2所述的振荡器，其特征在于，第一、第二、第三和第四场效应晶体管均为NMOS场效应晶体管，所述第一电源端为接地端，所述第二电源为输入电压端，

第二和第三NMOS场效应晶体管为隔离型NMOS晶体管，

第二和第三NMOS场效应晶体管的隔离阱连接第二电源端。

6.根据权利要求5所述的振荡器，其特征在于，第二场效应晶体管的衬体与其源极之间的寄生二极管、衬体与其漏极之间的寄生二极管、衬体与其隔离阱之间的寄生二极管的PN结面积大于第一场效应晶体管的漏极和衬体之间的二极管的PN结面积，

第三场效应晶体管的衬体与其源极之间的寄生二极管、衬体与其漏极之间的寄生二极管、衬体与其隔离阱之间的寄生二极管的PN结面积大于第四场效应晶体管的漏极和衬体之间的二极管的PN结面积。

7.根据权利要求1或2所述的振荡器，其特征在于，所述电容为以绝缘层做电介质的电容。

8.根据权利要求7所述的振荡器，其特征在于，所述电容为PIP电容、MOS电容、MIM电容、MOM电容。