[发明专利]一种低压报警电路和方法

说明书

技术领域

本发明涉及产品的低压报警领域，特别涉及一种低压报警电路和方法。

背景技术

目前的电子产品，如带电池的产品，在电压较低的时候都会启动提醒装置，而控制提醒装置一般都使用芯片的I/O口，这种低压提醒方案需占用至少两个芯片I/O，其中，利用一颗具有模数A/D转换功能的芯片I/O口去侦测电源的电压。同时，这种低压提醒方案在产品开机前和关机后都不具备侦测并提醒的功能，并且现有的低压提醒方案在芯片当机的情况下还有侦测不出电源电压的风险。

发明内容

本发明提供了一种低压报警电路和方法，以解决现有低压报警方案占用芯片I/O口以及产品开机前和关机后无法进行报警提醒的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种低压报警电路，该电路包括：

Q1和Q2，报警单元，分压电阻R1和R2，限流电阻R3和R4，报警器限流单元，上拉电阻R6；Q1为NPN型三极管或者NMOS管；Q2为NPN型三极管或者NMOS管；

报警器限流单元的一端和电源相连，另一端和报警单元的一端相连；

报警单元的另一端和Q1三极管的集电极/NMOS管的漏极相连；

Q1三极管的基极/NOMS管的栅极和限流电阻R4的一端相连；

限流电阻R4的另一端和上拉电阻R6的一端以及Q2三极管的集电极/NMOS管的漏极相连；

上拉电阻R6的另一端和电源以及分压电阻R1的一端相连；

分压电阻R1的另一端和限流电阻R3的一端以及分压电阻R2的一端相连；

限流电阻R3的另一端和Q2三极管的基极/NMOS管的栅极相连；

Q1三极管的发射极/NMOS管的源极与Q2三极管的发射极/NMOS管的源极以及分压电阻R2的另一端分别相连并接地。

在本发明的一个实施例中，报警单元包括至少一个报警器，报警单元包括发光二极管LED、声音报警器和震动报警器中的至少一种。

在本发明的一个实施例中，报警器为多个时，所述报警器限流单元为至少一个，多个报警器之间相互并联，每个报警器均串联一个报警器限流单元后相互并联或者多个报警器相互并联后与一个报警器限流单元串联。

在本发明的一个实施例中，该电路进一步包括延时电路；报警器为多个时，至少一个报警器连接有延时电路，多个延时电路的延时时间相同或不同。

在本发明的一个实施例中，所述分压电阻R1、R2的阻值大小要满足等式：R2*V1/(R1+R2)=V2，其中，V2为所述Q2三极管/NMOS管的导通电压，V1为预设电压阀值，该电路在电源的电压低于预设电压阀值V1时报警。

根据本发明的另一个方面，提供了一种低压报警方法，该方法在电源的电压低于预设电压阀值V1时报警，该方法包括：令报警器限流单元的一端和电源相连，另一端和报警单元的一端相连；

令报警单元的另一端和Q1三极管的集电极/NMOS管的漏极相连；

令Q1三极管的基极/NOMS管的栅极和限流电阻R4的一端相连；

令限流电阻R4的另一端和上拉电阻R6的一端以及Q2三极管的集电极/NMOS管的漏极相连；

令上拉电阻R6的另一端和电源以及分压电阻R1的一端相连；

令分压电阻R1的另一端和限流电阻R3的一端以及分压电阻R2的一端相连；

令限流电阻R3的另一端和Q2三极管的基极/NMOS管的栅极相连；

令Q1三极管的发射极/NMOS管的源极与Q2三极管的发射极/NMOS管的源极以及分压电阻R2的另一端分别相连并接地。

在本发明的一个实施例中，报警单元包括至少一个报警器，报警单元包括发光二极管LED、声音报警器和震动报警器中的至少一种。

在本发明的一个实施例中，报警器为多个时，报警器限流单元为至少一个，多个报警器之间相互并联，每个报警器均串联一个报警器限流单元后相互并联或者多个报警器相互并联后与一个报警器限流单元串联。

在本发明的一个实施例中，该方法还包括设置延时电路；报警器为多个时，至少一个报警器连接有延时电路，多个延时电路的延时时间相同或不同。

在本发明的一个实施例中，该方法在电源的电压低于预设电压阀值V1时报警，根据三极管/NMOS管Q2的导通电压V2，以及预设电压阀值V1来确定分压电阻R1、R2的阻值大小，分压电阻R1、R2的阻值大小要满足等式：R2*V1/(R1+R2)=V2。