[发明专利]一种采用PVDF压电薄膜的弯张换能器有效
| 申请号： | 201310626212.6 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103646643A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 秦雷;王丽坤;刘静静 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G10K9/122 | 分类号： | G10K9/122 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100101 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 pvdf 压电 薄膜 弯张换能器 | ||
1.一种采用PVDF压电薄膜的弯张换能器，其特征在于，包括压电陶瓷晶片堆和PVDF薄膜，所述PVDF薄膜包围所述压电陶瓷晶片堆并通过连接件与所述压电陶瓷晶片堆连接。
2.如权利要求1所述的弯张换能器，其特征在于：还包括使所述PVDF薄膜产生预应力的装置。
3.如权利要求2所述的弯张换能器，其特征在于，所述连接件为设于所述压电陶瓷晶片堆两端的质量块，所述使PVDF薄膜产生预应力的装置包括：
固定块，与所述质量块相接；
固定螺钉，设于所述固定块上；
拉伸螺钉，穿过所述固定块并与所述质量块相接，用于使所述固定块和所述质量块之间的空隙加大以对PVDF薄膜进行拉伸；
预应力螺钉，穿过所述压电陶瓷晶片堆与所述固定块，用于固定拉伸后的PVDF薄膜。
4.如权利要求3所述的弯张换能器，其特征在于：所述PVDF薄膜为空心圆柱形。
5.如权利要求2所述的弯张换能器，其特征在于：所述PVDF薄膜施加的预应力为10N～200N。
6.如权利要求1至5中任一项所述的弯张换能器，其特征在于：所述压电陶瓷晶片堆包括正向极化压电陶瓷片、金属垫片和反向极化压电陶瓷片，通过所述金属垫片引出电极，所有正极互相连通作为发射正极，所有负极互相连通作为发射负极。
7.如权利要求1至5中任一项所述的弯张换能器，其特征在于：所述PVDF薄膜的厚度为50um以上。
8.如权利要求1至5中任一项所述的弯张换能器，其特征在于：所述PVDF薄膜为两层或多层PVDF薄膜通过叠堆构成的薄膜，极化方向是同向或者反向；或者所述PVDF薄膜是由PVDF薄膜与其它柔性材料通过粘接构成的两层或多层薄膜。
9.如权利要求1至5中任一项所述的弯张换能器，其特征在于：所述连接件采用变幅杆式结构。
10.如权利要求1至5中任一项所述的弯张换能器，其特征在于：所述连接件采用低密度金属材料。
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