[发明专利]用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备有效
申请号: | 201310625341.3 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN103972046B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 王盛民;金武谦;徐泰安;赵国来;李大荣;南重建;张大焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77;H01L49/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 电容器 方法 包括 显示 设备 | ||
提供了一种用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备。该显示设备位于基板上,并包括薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的显示器件以及电容器,薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极。该方法包括:在基板上形成电极层;在电极层上形成钝化层;图案化钝化层,以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案,以及形成包括彼此平行并被插入在多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案;以及通过使用第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成第一电极和第二电极。
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2013年1月31日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2013-0011497的优先权和权益,该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明的各方面涉及用于制造电容器的方法及包括该电容器的显示设备。
背景技术
具有液体和固体之间的属性的液晶被通常使用于液晶显示设备中。这样的液晶显示设备基于使液晶分子的排列根据施加到其上的外部电场而变化的电特性和诸如液晶元件的双折射、旋光性和光散射的光特性工作。
作为自发光显示设备的有机发光显示设备不需要单独的光源,因此,可以在低电压下驱动,并且很容易被制造的较薄。此外,因为有机发光显示设备的高分辨率特性,如更大的视角、更好的对比度和更快的响应速率,它们作为下一代显示器件已引起人们的注意。
诸如液晶显示设备或有机发光显示设备的显示设备包括例如用于电源和信号处理的各种类型布线和电容器。此外,由于各种需求,在显示设备中使用小尺寸的电容器的需求不断增加。
发明内容
本发明的方面提供了制造电容器的方法和包括该电容器的显示设备。
根据本发明的一个方面,提供了一种制造显示设备的电容器的方法,显示设备位于基板上,并包括薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的显示器件以及电容器,薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,该方法包括:在基板上形成电极层;在电极层上形成钝化层;图案化钝化层,以形成包括彼此平行的多个第一分支图案的第一图案,并形成包括彼此平行并被插入在多个第一分支图案之间的多个第二分支图案的第二图案;通过使用第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成电容器的第一电极和第二电极。
该方法可以进一步包括在蚀刻所述电极层之前,在包括第一图案和第二图案的钝化层的部分区域上形成光致抗蚀剂。
钝化层的形成有光致抗蚀剂的部分区域可以对应于薄膜晶体管的有源层、栅电极、以及源电极和漏电极中的任意一个。
形成第一电极和第二电极可以包括:通过使用光致抗蚀剂作为掩膜蚀刻电极层来形成有源层、栅电极、以及源电极和漏电极中的任意一个;以及通过使用第一图案和第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成第一电极和第二电极。
蚀刻电极层可以包括:通过使用第一图案作为掩膜蚀刻电极层来形成包括彼此平行的多个第一分支电极的第一电极;以及通过使用第二图案作为掩膜蚀刻电极层来形成包括彼此平行的多个第二分支电极的第二电极。
形成第一电极和形成第二电极可以在同一工艺中被执行。
根据一个实施例,多个第一分支电极与多个第二分支电极呈交指型。
第一电极和第二电极可以彼此间隔开。
该方法可以进一步包括在第一电极和第二电极之间的间隙中形成绝缘层。
钝化层的第一图案可以位于第一电极上,钝化层的第二图案可以位于第二电极上。
蚀刻电极层可以通过干蚀刻法被执行。
图案化钝化层可以包括:在钝化层上形成聚合物层;图案化聚合物层;通过使用经图案化的聚合物层作为掩膜蚀刻钝化层来形成第一图案和第二图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的