[发明专利]一种数字变频电击器及其变频脉冲的控制方法有效
| 申请号: | 201310618912.0 | 申请日: | 2013-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN103701357A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
| 发明(设计)人: | 冷朝霞;刘庆丰;刘辉;崔文彪 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
| 主分类号: | H02M9/02 | 分类号: | H02M9/02 |
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 数字 变频 电击 及其 脉冲 控制 方法 | ||
1.一种数字变频电击器,其特征在于,包括数字控制器(8)和脉冲输出电路(1),所述脉冲输出电路(1)包括依次连接的电源(9)、半桥逆变电路(10)、前级变压器(11)、全桥整流电路(12)、软开关电路(13)、分压电路(14)、LC谐振电路(15)、后级变压器(16)和放电电极(2),所述的电源(9)、半桥逆变电路(10)、全桥整流电路(12)、软开关电路(13)、分压电路(14)、LC谐振电路(15)分别通过电源电压检测电路(3)、半桥逆变MOSFET驱动电路(4)、软开关MOSFET驱动电路(5)、整流后电压监测电路(6)和LC谐振晶闸管驱动电路(7)与所述数字控制器(8)相连接。
2.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的半桥逆变电路(10)由相互串联的电容C1、电容C2和相互串联的功率开关管MOSFETQ1、功率开关管MOSFETQ2并联而成;所述电容C1与所述电源(9)的正极相连接,所述电容C2与所述电源(9)的负极相连,所述电源(9)的负极还与所述的电源电压检测电路(3)相连接;所述功率开关管MOSFETQ1和功率开关管MOSFETQ2均连接至所述的半桥逆变MOSFET驱动电路(4);所述电容C1和电容C2之间的节点连接至前级变压器(11)的原边一端,功率开关管MOSFETQ1、功率开关管MOSFETQ2之间的节点连接至前级变压器(11)的原边另一端。
3.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的全桥整流电路(12)由相互串联的二极管D1、二极管D2和相互串联的二极管D3、二极管D4并联而成;所述的软开关谐振电路(13)由功率开关管MOSFETQ3和电容C3串联构成,所述的分压电路(14)由电阻R1和电阻R2相串联而成;所述的LC谐振电路(14)由晶闸管Q4及相互串联的电容C4、后级变压器(12)的原边并联而成;所述的全桥整流电路(12)、软开关谐振电路(13)、分压电路(14)和LC谐振电路(14)相互并联;所述二极管D1和二极管D2之间的节点连接至前级变压器(11)的副边一端,所述二极管D3和二极管D4之间的节点连接至前级变压器(11)副边的另一端。
4.根据权利要求3所述的数字变频电击器,其特征在于,所述功率开关管MOSFETQ3的漏极与所述高压二极管D1和二极管D3的连接点相连接,所述电容C3与所述高压二极管D2和二极管D4的连接点相连接;所述电阻R1与功率开关管MOSFETQ3的漏极相连接,电阻R2与所述电容C3相连接。
5.根据权利要求3所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的功率开关管MOSFETQ3的栅极与所述的软开关MOSFET驱动电路(5)相连接,所述的整流后电压检测电路(6)连接至所述的电阻R2的两端;所述的功率开关管晶闸管Q4的门极与所述的LC谐振晶闸管驱动电路(7)相连接。
6.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的后级变压器(12)的副边与所述的放电极(2)相连接。
7.根据权利要求1所述的全数字变频电击器,其特征在于,所述的全桥整流电路(12)的二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4均采用高压二极管。
8.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的前级变压器(11)和后级变压器(16)为高频变压器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310618912.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自动旋转式升降靶机
- 下一篇:小口径炮脱壳穿甲弹防护装置





