[发明专利]一种数字变频电击器及其变频脉冲的控制方法有效

专利信息
申请号: 201310618912.0 申请日: 2013-11-27
公开(公告)号: CN103701357A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 冷朝霞;刘庆丰;刘辉;崔文彪 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H02M9/02 分类号: H02M9/02
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 数字 变频 电击 及其 脉冲 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种数字变频电击器,其特征在于,包括数字控制器(8)和脉冲输出电路(1),所述脉冲输出电路(1)包括依次连接的电源(9)、半桥逆变电路(10)、前级变压器(11)、全桥整流电路(12)、软开关电路(13)、分压电路(14)、LC谐振电路(15)、后级变压器(16)和放电电极(2),所述的电源(9)、半桥逆变电路(10)、全桥整流电路(12)、软开关电路(13)、分压电路(14)、LC谐振电路(15)分别通过电源电压检测电路(3)、半桥逆变MOSFET驱动电路(4)、软开关MOSFET驱动电路(5)、整流后电压监测电路(6)和LC谐振晶闸管驱动电路(7)与所述数字控制器(8)相连接。

2.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的半桥逆变电路(10)由相互串联的电容C1、电容C2和相互串联的功率开关管MOSFETQ1、功率开关管MOSFETQ2并联而成;所述电容C1与所述电源(9)的正极相连接,所述电容C2与所述电源(9)的负极相连,所述电源(9)的负极还与所述的电源电压检测电路(3)相连接;所述功率开关管MOSFETQ1和功率开关管MOSFETQ2均连接至所述的半桥逆变MOSFET驱动电路(4);所述电容C1和电容C2之间的节点连接至前级变压器(11)的原边一端,功率开关管MOSFETQ1、功率开关管MOSFETQ2之间的节点连接至前级变压器(11)的原边另一端。

3.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的全桥整流电路(12)由相互串联的二极管D1、二极管D2和相互串联的二极管D3、二极管D4并联而成;所述的软开关谐振电路(13)由功率开关管MOSFETQ3和电容C3串联构成,所述的分压电路(14)由电阻R1和电阻R2相串联而成;所述的LC谐振电路(14)由晶闸管Q4及相互串联的电容C4、后级变压器(12)的原边并联而成;所述的全桥整流电路(12)、软开关谐振电路(13)、分压电路(14)和LC谐振电路(14)相互并联;所述二极管D1和二极管D2之间的节点连接至前级变压器(11)的副边一端,所述二极管D3和二极管D4之间的节点连接至前级变压器(11)副边的另一端。

4.根据权利要求3所述的数字变频电击器,其特征在于,所述功率开关管MOSFETQ3的漏极与所述高压二极管D1和二极管D3的连接点相连接,所述电容C3与所述高压二极管D2和二极管D4的连接点相连接;所述电阻R1与功率开关管MOSFETQ3的漏极相连接,电阻R2与所述电容C3相连接。

5.根据权利要求3所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的功率开关管MOSFETQ3的栅极与所述的软开关MOSFET驱动电路(5)相连接,所述的整流后电压检测电路(6)连接至所述的电阻R2的两端;所述的功率开关管晶闸管Q4的门极与所述的LC谐振晶闸管驱动电路(7)相连接。

6.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的后级变压器(12)的副边与所述的放电极(2)相连接。

7.根据权利要求1所述的全数字变频电击器,其特征在于,所述的全桥整流电路(12)的二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4均采用高压二极管。

8.根据权利要求1所述的数字变频电击器,其特征在于,所述的前级变压器(11)和后级变压器(16)为高频变压器。

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