[发明专利]一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法有效
申请号: | 201310617875.1 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN103606573A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 黄富强;秦明升;刘战强;朱小龙;李爱民;张雷;王耀明;杨重寅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 黄铜矿 结构 中间 吸收 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种黄铜矿结构的中间带吸收材料,其特征在于,所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1-xQxC2,其中B=Ga或In,Q= Ge或Sn,C=S或Se,0<x≤0.1;所述材料通过在黄铜矿结构化合物CuBC2中掺入掺杂元素Q从而在价带和导带之间形成一个单一独立的能级而形成中间带。
2.根据权利要求1所述的黄铜矿结构的中间带吸收材料,其特征在于,所述材料具有黄铜矿结构,属四方晶系,空间群为I4-2d。
3.根据权利要求1或2所述的黄铜矿结构的中间带吸收材料,其特征在于,所述CuB1-xQxC2中的Cu、B、Q、C的价态与CuBC2中各元素的价态相同。
4.一种权利要求1至3中任一项所述的黄铜矿结构的中间带吸收材料的制备方法,其特征在于,包括:
以CuB1-xQxC2中各元素的单质、和/或Cu、B、Q的硫化物和/或硒化物为原料按化学组成配比进行配料后混合;
将混合的原料装入石英玻璃管中,经抽真空后封装,在700℃~1000℃下进行第一次固相反应;以及
开管后进行研磨,再次将研磨料放入石英玻璃管中,经抽真空后封装,在700℃~1000℃下进行第二次固相反应,即制得所述黄铜矿结构的中间带吸收材料。
5. 根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在原料中,Cu粉和Sn粉的纯度分别为99.99%以上,其它原料的纯度为99.999%以上。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,所述抽真空是抽至真空度小于10-2 Pa。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一次固相反应和/或所述第二次固相反应的反应时间为20~90 小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的