[发明专利]一种用于超薄石英基片上电镀薄膜电路图形的方法

权利要求书

1.一种用于超薄石英基片上电镀薄膜电路图形的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤101：将至少一个超薄石英基片双面抛光，并在其中一面上设置导通待电镀表面，导通待电镀表面由金属薄膜图形和键合区组成；将承载基片的一面进行抛光，并形成金属化抛光面；

步骤102：将超薄石英基片的导通待电镀表面朝上，并将另一面与承载基片金属化抛光面通过光刻胶粘接形成一临时键合体；

步骤103：通过掩膜光刻在临时键合体的承载基片金属化抛光面上形成键合区和电镀连通区，并进行后烘处理；

步骤104：将临时键合体的承载基片金属化抛光面的键合区与超薄石英基片导通待电镀表面的键合区通过金丝互连；

步骤105：将互连导通的临时键合体依次经过除油、酸洗、电镀处理；

步骤106：去除互连金丝，去除光刻胶，将超薄石英基片与承载基片分离，得到带有电镀加厚薄膜电路图形的超薄石英基片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤101中，所述超薄石英基片形状为圆形、长方形、正方形或不规则形状，厚度为30μm-50μm，平面尺寸为10mm×10mm-76mm×76mm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤101中，所述至少一个超薄石英基片的个数为两个及两个以上时，超薄石英基片的形状、厚度和平面尺寸设置为相同或不相同，超薄石英基片待电镀表面的金属薄膜材料、镀涂金属种类和厚度设置为相同。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤101中，所述超薄石英基片的另一面为无金属薄膜表面，或为由金属薄膜图形和键合区组成的导电通路表面，或为全板薄膜金属化接地面。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述超薄石英基片的另一面的金属薄膜材料设置与所述导通待电镀表面金属薄膜材料相同或不同。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤101中，所述承载基片的形状为圆形、长方形、正方形或不规则形状，平面尺寸大于或等于超薄石英基片尺寸，厚度为0.254mm-0.65mm；所述承载基片的材料为纯度99.6%-100%的氧化铝基片或纯度98%的氮化铝基片或蓝宝石基片或石英基片。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤102中，所述形成一临时键合体的方法为：在承载基片金属化抛光面上涂覆一层光刻胶湿膜，将超薄石英基片待电镀表面朝上通过真空笔吸附迅速放置在承载基片的光刻胶湿膜上，然后在80-90℃温度下干燥10分钟或在110℃温度下干燥5分钟。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为紫外敏感正性光刻胶；所述光刻胶的湿膜涂覆方法为旋转涂覆法或喷雾式涂布法。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤103中，所述后烘处理的方法为：将所述临时键合体放置在120℃恒温干燥箱中后烘20分钟。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤104中，所述通过金丝互连的方法为金丝楔焊或金丝球焊，金丝直径范围为18μm-30μm。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤105中，所述电镀方法为采用挂镀方式，电镀液对应电镀的金属材料，并设置每一种电镀液仅电镀加厚对应金属。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤106中，所述去除光刻胶并将超薄石英基片与承载基片分离的方法为：先使用丙酮在室温下超声波处理10分钟，将粘结用光刻胶去除干净，并将承载基片与电镀加厚薄膜电路图形的超薄石英基片分离，然后将超薄石英基片用去离子水清洗干净，干燥，完成制作。