[发明专利]一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法，包括以下步骤：

1）在蓝宝石或Si或SiC为衬底的GaN基材料上制备阵列式布置的若干个电性隔离的微晶粒；

2）在每个微晶粒上制备出N台阶；

3）在完成N台阶制备的衬底上淀积绝缘层；

4）在每个微晶粒单元上制备出P电极和N电极；

5）在Si基板上淀积一层绝缘层，并在绝缘层上蒸镀金属连线及用来倒装键合的凸点；

6）采用热超声键合法，将步骤5）制得的GaN芯片倒装在以上Si基板上，其中阵列式布置的微晶粒与Si基板上的金属连线和凸点电性连接；

其特征在于所述步骤3）淀积的绝缘层为透明绝缘层；所述步骤4）中，用于制备P电极的金属蒸镀层覆盖至绝缘层的边缘和微晶粒的侧面。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述步骤1）是在GaN基材料上采用干法刻蚀的方法利用金属掩膜进行刻蚀，刻蚀后形成的每个相邻的微晶粒之间形成底部在衬底层表面上方且深度>4μm的沟槽。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述步骤3）中，淀积的绝缘层覆盖至每个微晶粒的侧面和底部并扩展到每个微晶粒单元的上表面。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于所述步骤3）中，淀积的绝缘层厚度为50～1000nm。