[发明专利]一种钪钛酸盐发光材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201310616785.0 申请日: 2013-11-27
公开(公告)号: CN104673309A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 周明杰;陈吉星;王平;黄辉 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C09K11/78;H01L33/50
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 钪钛酸盐 发光 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种钪钛酸盐发光材料,其特征在于,结构式为R2Sc2Ti3O12:xMn4+,其中,R为Al,Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.05。

2.如权利要求1所述的钪钛酸盐发光材料,其特征在于,所述x的取值为0.03。

3.一种钪钛酸盐发光材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

根据R2Sc2Ti3O12:xMn4+各元素的化学计量比提供或制备陶瓷靶材,其中,R为Al,Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.05;

将衬底和所述陶瓷靶材置于磁控溅射设备的真空镀膜室中,设置真空度为1.0×10-3~1.0×10-5Pa,衬底温度为250~750℃,所述衬底和陶瓷靶材之间的距离为45~95mm,通入10~35sccm氩气,于0.2~4Pa的压力下,采用磁控溅射的方法在所述衬底上沉积得到钪钛酸盐发光材料,其中,磁控溅射的功率为30~200W;

所述钪钛酸盐发光材料的结构式为R2Sc2Ti3O12:xMn4+,其中,R为Al,Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.05。

4.如权利要求3所述的钪钛酸盐发光材料的制备方法,其特征在于,所述提供或制备陶瓷靶材的步骤包括:

按1∶1∶3∶x的摩尔比分别称取R2O3,Sc2O3,TiO2,MnO2粉体,其中,R为Al,Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.05;

将上述称取的粉体混合均匀后置入煅烧装置中,于900~1300℃下煅烧0.5~3小时,获得块状陶瓷靶材。

5.如权利要求3所述的钪钛酸盐发光材料的制备方法,其特征在于,所述在衬底上沉积得到钪钛酸盐发光材料的过程中,包括对所得钪钛酸盐发光材料的退火处理,所述退火处理的方式为:在衬底上沉积钪钛酸盐发光材料后,调整真空镀膜室内的压强为0.001~0.1Pa,在氩气气氛下,500~800℃下退火处理1~3小时。

6.如权利要求3所述的钪钛酸盐发光材料的制备方法,其特征在于,所述x的取值为0.03。

7.一种薄膜电致发光器件,包括衬底、阳极、发光层和阴极,其特征在于,所述发光层的材质为钪钛酸盐发光材料,所述钪钛酸盐发光材料的结构式为R2Sc2Ti3O12:xMn4+,其中,R为Al,Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.05。

8.一种薄膜电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

根据R2Sc2Ti3O12:xMn4+各元素的化学计量比提供或制备陶瓷靶材,其中,R为Al,Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.05;

将衬底和所述陶瓷靶材置于磁控溅射设备的真空镀膜室中,设置真空度为1.0×10-3~1.0×10-5Pa,衬底温度为250~750℃,所述衬底和陶瓷靶材之间的距离为45~95mm,通入10~35sccm氩气,于0.2~4Pa的压力下,采用磁控溅射的方法在所述衬底上沉积得到钪钛酸盐发光材料,其中,磁控溅射的功率为30~200W;

所述钪钛酸盐发光材料的结构式为R2Sc2Ti3O12:xMn4+,其中,R为Al,Ga,In或Tl,x的取值范围为0.01~0.05;

再在所述钪钛酸盐发光材料上蒸镀阴极,得到薄膜电致发光器件。

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