[发明专利]接触孔的制作方法和半导体器件的湿法清洗方法在审
| 申请号： | 201310616522.X | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681404A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 半导体器件 湿法 清洗 方法 | ||
1.一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括介质层；
在所述介质层中形成接触孔；
对剩余的所述介质层进行亲水化处理；
对亲水化处理后的所述介质层进行湿法清洗处理。
2.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述亲水化处理包括采用氩气的等离子体轰击剩余的所述介质层。
3.如权利要求2所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述亲水化处理的气压包括100mTorr～120mTorr，气体流量包括200sccm～400sccm，偏置功率包括50w～100w。
4.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述接触孔采用干法刻蚀方法形成。
5.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，形成所述接触孔包括：在所述介质层上形成图案化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩模采用干法刻蚀工艺刻蚀所述介质层；采用灰化工艺去除所述光刻胶层；所述亲水化处理与所述干法刻蚀工艺或者所述灰化工艺在同一腔室中进行。
6.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅，所述湿法清洗处理采用HF溶液。
7.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述湿法清洗处理采用单晶圆清洗工艺。
8.一种半导体器件的湿法清洗方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括待清洗层；
对所述待清洗层进行亲水化处理；
对亲水化处理后的所述待清洗层进行湿法清洗处理。
9.如权利要求8所述的半导体器件的湿法清洗方法，其特征在于，所述亲水化处理包括采用氩气的等离子体轰击所述待清洗层。
10.如权利要求8所述的半导体器件的湿法清洗方法，其特征在于，所述亲水化处理的气压包括100mTorr～120mTorr，气体流量包括200sccm～400sccm，偏置功率包括50w～100w。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310616522.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备多晶硅薄膜并控制其晶粒尺寸的方法
- 下一篇：一种场发射显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
