[发明专利]器件表面的保护方法在审
| 申请号： | 201310616516.4 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104671190A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;刘国安;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 表面 保护 方法 | ||
1.一种器件表面的保护方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对，所述第一表面形成有器件层；
在所述器件层上形成保护层以保护所述器件层，所述保护层为聚合物；
在所述基底的第二表面进行工艺；以及
去除所述保护层。
2.根据权利要求1所述的器件表面的保护方法，其特征在于，所述聚合物为光刻胶。
3.根据权利要求1所述的器件表面的保护方法，其特征在于，去除所述保护层采用灰化方法去除。
4.根据权利要求1所述的器件表面的保护方法，其特征在于，去除所述保护层通过采用ST-44或EKC喷淋清洗去除。
5.根据权利要求1所述的器件表面的保护方法，其特征在于，所述器件层包括暴露出的金属层。
6.一种微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对；
在所述晶圆的第一表面上形成器件层，所述器件层包括第一开口和暴露出的垫层，所述第一开口暴露出所述晶圆的第一表面；
在所述器件层上形成第一保护层，所述第一保护层填充所述第一开口和所述垫层，所述第一保护层包括聚合物；
在所述晶圆的第二表面进行工艺；以及
去除所述第一保护层。
7.根据权利要求6所述的微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，在所述晶圆的第二表面进行工艺包括：
在所述晶圆的第二表面形成第二保护层，所述第二保护层包括聚合物；
图形化所述第二保护层以在所述第二保护层中形成第二开口，所述第二开口位置与所述第一开口位置对应；以及
以图形化的所述第二保护层为掩模，刻蚀所述晶圆至预定深度。
8.根据权利要求7所述的微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层均为光刻胶。
9.根据权利要求7所述的微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，所述图形化所述第二保护层包括显影步骤，所述显影采用喷淋方式进行。
10.根据权利要求7所述的微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，所述晶圆为绝缘体上硅，所述刻蚀至预定深度为刻蚀至绝缘体上硅的顶层硅与绝缘体上硅的埋氧层的界面处。
11.根据权利要求6所述的微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，去除所述第一保护层采用灰化方法去除。
12.根据权利要求6所述的微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，去除所述第一保护层通过采用ST-44或EKC喷淋清洗去除。
13.根据权利要求6所述的微机电系统横梁的形成方法，其特征在于，所述垫层采用铝制作。
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