[发明专利]一种集成电路节点的阻抗控制电路

说明书

技术领域：

本发明涉及到电路被动控制集成电路节点的阻抗。尤其是涉及到控制集成电路节点的阻抗是在集成电路断电的条件下。 

背景技术：

当集成电路没有充分供电时，许多情况下，在集成电路中一个特定节点的阻抗（即集成电路阻抗在节点和像地这样的参考点间）被控制时，如当没有能量来源加载到集成电路的电力供应端，或当集成电路是在一个短暂的状态后立即加载或取消电源。例如，当线路驱动器或复位电路没有动力或在一个短暂的开启或关闭状态时，一个系统设计要求集成电路的输出阻抗线路驱动器或复位电路连接到一个有源线路保持稳定（例如低或高）。 

一些集成电路器件在断电和暂态条件下，设备的输出阻抗是内部节点阻抗的函数。这种情况下，有必要控制在断电条件下内部节点的阻抗使得设备的输出阻抗保持在理想的水平。例如，一个典型的集成电路设备的输出阶段可能包括一个输出三极管的集电极，该集电极连接到设备的输出节点，输出三极管的发射极连接到设备的接地节点，一个电容器连接到三极管的基极-集电极电路（例如频率补偿或控制转换率电路）。在断电条件下，用三极管的集电极-发射极电路来传导电流是不可取的，但这种传导可能发生，例如，一个交流信号由外部电路应用到设备的输出节点时。输出三极管在这种情况下可以传导，因为频率补偿电容耦合交流信号到输出三极管的基极，使三极管导通。 

在过去有人希望在交流信号条件下控制输出阻抗等电路的断电，包括一个电容或在三极管的基极和接地节点间的一个并联的电阻电容网络，来降低从输出节点回到三极管的基极电流流动量。这些方法存在一些缺点。例如，如果一个电容单独使用，在通电条件下，电荷积聚在电容器产生远离三极管基极的传导电流，这可能干扰了设备的正常工作。如果一个并联电阻增加放电电容，在通电条件下，电阻不仅要有较高的电阻值来阻止它干扰电路的正常运行，还必须能够传导大量潜在的电容放电电流。这种电阻需要大量的芯片面积，因此就集成电路芯片的空间而言很昂贵，必须放弃实现该电阻。 

另一个缺点是电容器和电阻电容网络不补偿温度升高对三极管基极-发射极导通电压的影响。当设备的工作温度升高时，需要导通三极管的基极-集电极电压下降。然而，在一定程度上，连接到整个基极-发射极电路的电容或电阻-电容网络衰减了耦合到三极管基极的交流信号，它没有随着温度而增加。因此在高 工作温度下，现有的技术使得电容和电阻-电容网络变得不那么有效地防止三极管的传导电流来响应一个交流信号应用到设备的输出节点，因此变得不那么有效地控制设备的输出阻抗。 

离散电路中，在断电的条件下，通过使用一个耗尽型FET三极管在节点和地间创建一个低阻抗电路路径，这已经解决了产生一个低阻抗节点的问题。在通电条件下，一个偏置电压应用到FET三极管的栅极，导致正常存在的导电沟道耗尽。但是，在一个单片的集成电路上实现对集成电路阻抗的控制是可取的。 

发明内容：

本发明是一种新颖的电路，在断电和暂态电能条件下，控制集成电路节点的阻抗。该电路包括一个PNP型三极管，PNP型三极管的集电极-发射极连接在电路节点和接地节点之间。三极管的基极通过一个电阻连接到接地节点，在断电时，PNP型三极管的基极上的电压接近零电势。PNP型三极管发射极将电压钳位在节点处的值等于电阻上的电压降加上PNP型三极管的基极-发射极电路上的正向电压降，总和低于最小需要的以达林顿形式连接的NPN型三极管对的基极-发射极导通电压。PNP型三极管基极-发射极电路的正向电压降随着温度的升高而降低，从而降低了钳位电压来补偿NPN型三极管间基极-发射极的温度系数。当电源加载到集成电路时，电流源连接到PNP型三极管的基极产生电流，偏置PNP型三极管的基极-发射极电路，有效地切断PNP型三极管的电路节点。 

本发明的技术解决方案： 

因此，本发明提供了一种新的集成电路节点的阻抗控电路，工作时不需要单独的电源。在高的工作温度下，阻抗控制电路是有效的，在集成电路设备上可实施使用一个小面积的芯片，在通电条件下，其操作不会干扰其他连接到节点的电路的正常运行。 

对比专利文献：CN202121557U电路阻抗控制器201120176466.9 

附图说明：

附图将对本发明的优点作进一步的描述。部分器件的参考字符已在图中标明。 

图1是传统的输出级电路原理图。 

图2是一个电路原理图。体现了本发明的阻抗控制电路。 

图3是一个输出级电路原理图，是本发明的阻抗控制电路的另一体现。 

具体实施方式：