[发明专利]适用于移动设备的电源接口保护电路无效

专利信息
申请号: 201310613438.2 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN103683258A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 黄友华 申请(专利权)人: 成都市宏山科技有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 适用于 移动 设备 电源接口 保护 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电源接口保护电路,更具体的说是涉及一种适用于移动设备的电源接口保护电路。

背景技术

随着科技的发展,技术的不断更新,电子设备越来越普及。为了便于使用,移动电子设备越来越多。电子设备在使用时,均需要电源供电。电源是一切移动设备的必要部件。电源开关在开机时,会产生瞬间浪涌电流。由于移动设备内部的电路板上集成有很多敏感电子元器件,瞬间的浪涌电流对这些电子元器件的破坏力极强。而移动电子设备是我们常用的设备,其对浪涌电流的保护的可靠性是十分重要的环节。

发明内容

本发明提供一种适用于移动设备的电源接口保护电路,其可抑制电源开关产生的浪涌电流,可靠性高,电路结构简单,适合用于移动设备电源接口上。

为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:

适用于移动设备的电源接口保护电路,它包括电源端口和三极管T1,所述的三极管T1的集电极通过电感L1连接在电源端口上,所述的电源端口和三极管T1的基极之间连接有电阻R3,三极管T1的发射极通过电阻R1与地相连,所述的电阻R1上并联有电容C2,所述的三极管T1的发射极通过电阻R2连接在三极管T2的基极上,所述的三极管T2的发射极通过电阻R4与地相连,所述的三极管T2的集电极连接在三极管T1的基极上,所述的三极管T1的基极通过电阻R5连接在二极管D1的阴极上,所述的二极管D1的阳极通过电感L2与地相连,所述的二极管D1的阳极同时连接在二极管D3的阴极上,所述的二极管D3的阳极连接在二极管D2的阳极上,所述的二极管D2的阴极连接在三极管T1的基极上,所述的二极管D2的阳极通过电容C3与地相连。

更进一步的技术方案是:

作为优选,所述的电阻R3上并联有电容C1。

进一步的所述的电阻R1的阻值大于电阻R4的阻值。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

本发明的电路结构简单,适合用于移动设备小型电子设备当中,其可靠性高,可抑制电源开关产生的浪涌电流,对移动设备提供可靠保护。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为本发明的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的适用于移动设备的电源接口保护电路,它包括电源端口和三极管T1,所述的三极管T1的集电极通过电感L1连接在电源端口上,所述的电源端口和三极管T1的基极之间连接有电阻R3,三极管T1的发射极通过电阻R1与地相连,所述的电阻R1上并联有电容C2,所述的三极管T1的发射极通过电阻R2连接在三极管T2的基极上,所述的三极管T2的发射极通过电阻R4与地相连,所述的三极管T2的集电极连接在三极管T1的基极上,所述的三极管T1的基极通过电阻R5连接在二极管D1的阴极上,所述的二极管D1的阳极通过电感L2与地相连,所述的二极管D1的阳极同时连接在二极管D3的阴极上,所述的二极管D3的阳极连接在二极管D2的阳极上,所述的二极管D2的阴极连接在三极管T1的基极上,所述的二极管D2的阳极通过电容C3与地相连。在本发明中,其正常工作时,三极管T1的基极电流始终保持一定。此时电阻R1上的电压较小,三极管T2未导通。当接通电源,瞬间的浪涌电流会流过三极管T1,使得三极管T1的电流增大。此时,电阻R1两端的电压值就跟着上升,三极管T1基极电位随之增加,驱动电流及三极管T1的基极电流受到限制,使得三极管T1的集电极电流被限制在一个额定值上。当三极管T1的集电极电流在电阻R1上的压降超过三极管T2的导通电压时,三极管T1的基极电流就会被分走一部分,从而使得三极管T1的集电极的电流不会超过一定的值,即可对浪涌电流进行有效防御。电容C2可对尖峰脉冲进行吸收,增强电路的抗干扰能力。其利用两级防御对浪涌电流进行抑制,可靠性增强。

为了进一步的增强本电路的抗干扰能力,所述的电阻R3上并联有电容C1。电容C1并联在电阻R1上,可吸收浪涌的尖峰脉冲,避免尖峰脉冲对三极管T1基极电流造成影响,提高该电路的稳定性且增强电路的抗干扰能力。

所述的电阻R1的阻值大于电阻R4的阻值。电阻R1两端的电压提供三极管T2的导通电压,电阻R4的压降为三极管T2提供发射极电压,为了保证电路的可靠运行,三极管的基极电压大于发射极电压,即电阻R1的阻值大于电阻R4的阻值。

如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均落入本发明的保护范围之内。

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