[发明专利]一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法无效
| 申请号： | 201310610814.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103630708A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陶莹;高宇;邓树军;赵梅玉;段聪 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | G01Q60/24 | 分类号： | G01Q60/24;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071000 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辨别 碳化硅 晶片 硅碳面 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将机械精抛后的碳化硅晶片进行化学抛光；
（2）将化学抛光后的碳化硅晶片用原子力显微镜测试其表面，在原子力显微镜上显示出所测试表面的粗糙度数值；
（3）若显示出的粗糙度数值在0.10～0.50nm之间，则所测试的表面为硅面；若显示出的粗糙度在0.80～3.00nm之间，则所测试的表面为碳面。
2.根据权利要求1所述辨别碳化硅晶片硅碳面的方法，其特征在于，所述步骤（1）中化学抛光采用的抛光液为SiO2溶胶，并含有质量分数为15%的双氧水，化学抛光的时间为4小时。
3.根据权利要求1或2所述辨别碳化硅晶片硅碳面的方法，其特征在于，所述步骤（2）中原子力显微镜的模式选用轻敲模式，频率为1HZ，在所测试的表面上至少选取至3个样点，样点的测试范围10×10μm，分辨率为256×256。
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