[发明专利]电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子装置，特别涉及一种具有写入保护功能及避免电路产生漏电的情况的电子装置。

背景技术

一般来说，在目前进阶精简指令集机器（Advanced RISC Machine,ARM）架构的伺服器设计中，扩充卡（Expander）会与串行周边接口只读记忆体（Serial Peripheral Interface Read Only Memory，以下简称SPI ROM）连接。在前述的设计上，考虑到伺服器需要在交流状态时，才能通过嵌入式伺服器管理技术（Integrated Lights-Out,ILO）来烧录串行周边接口只读记忆体，并且此串行周边接口记忆体还需要工作在P3V3_STBY的电压下。

由于串行周边接口记忆体还需要工作在P3V3_STBY的电压，因此串行周边接口只读记忆体的写入保护接脚会与P3V3_STBY的电压直接连接，以在伺服器工作在交流状态时，可对串行周边接口只读记忆体进行烧录。然而，由于串行周边接口只读记忆体的写入保护接脚会与P3V3_STBY的电压直接连接，因此会发生P3V3_STBY的电压漏电给扩充卡的情况，而造成扩充卡产生误动作。如此，扩充卡与串行周接口只读记忆体的连接设计上仍有改善的空间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子装置，藉以保留记忆体的写入保护功能，且还可避免电路产生漏电的情况。

本发明提供一种电子装置，具有待机状态与开机状态。电子装置包括芯片、记忆体与开关单元。芯片工作于开机状态下。记忆体耦接芯片，并存储固件，芯片依据固件运作，记忆体具有写入保护控制端，写入保护控制端通过写入保护控制路径与芯片连接，记忆体在待机状态下，通过在写入保护控制端输入一电位信号而关闭一写入保护功能，使固件被更新。开关单元位于写入保护控制路径上，开关单元受控于与开机状态关联的上电信号，在待机状态下，开关单元断开，且断开电位信号通过写入保护控制路径传送至芯片，在开机状态下，上电信号使开关单元导通而致写入保护控制路径连通，电位信号的输入被致无效，由芯片控制记忆体的写入保护功能。

在一实施例中，前述电子装置更包含基板管理控制单元。基板管理控制单元耦接记忆体，用于烧录记忆体。

在一实施例中，前述在电子装置的待机状态，待机状态所对应之待机电压上拉电位信号并传送至记忆体，用以对记忆体进行写入保护，在电子装置的开机状态，芯片接收开机电压，开机电压上拉电位信号并传送至记忆体，用以对记忆体进行写入保护。

在一实施例中，前述开关单元为晶体管。晶体管的源极端与漏极端分别耦接芯片与记忆体，晶体管的栅极用以接收上电信号。

在一实施例中，前述当电子装置工作于待机状态时，上电信号为一低电压准位，开关单元据以断开记忆体与芯片之间的耦接。

在一实施例中，前述当电子装置工作于开机状态时，上电信号为一高电压准位，开关单元据以导通记忆体与芯片之间的耦接，使记忆体与芯片可正常通信。

在一实施例中，前述上电信号为一上电完成信号。

在一实施例中，前述记忆体为串行周边接口只读记忆体。

本发明所揭露的电子装置，藉由在待机状态下，开关单元断开且断开电位信号通过写入保护控制路径传送至芯片、在开机状态下，上电信号使开关单元导通而致写入保护控制路径连通，电位信号的输入被致无效，由芯片控制记忆体的写入保护功能，以及记忆体在待机状态下，通过在写入保护控制端输入电位信号而关闭写入保护功能，使固件被更新。如此一来，可保留记忆体的写入保护功能，且还可避免电路产生漏电的情况发生。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明的电子装置的部分示意图。

其中，附图标记

100  电子装置

110  芯片

120  记忆体

130  开关单元

140  基板管理控制器

D    二极管

M    晶体管

R    电阻

WP   写入保护控制端

PWD  上电信号

V    电位信号

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

请参考图1所示，其为本发明的伺服器的部分示意图。本实施例的电子装置100具有开机状态与待机状态，且电子装置100包括芯片110、记忆体120与开关单元130。芯片110工作于开机状态下。