[发明专利]高导热绝缘铜基板的制备方法

权利要求书

1.高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：

步骤一、将所需要的铜基板进行抛光处理；

步骤二、称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中，然后向球磨罐中加入适量的二甲苯，得到聚碳硅烷-二甲苯溶液，其中控制聚碳硅烷质量分数小于60%；

步骤三、按照Si、Al原子比为1:1～1:30的比例称取经表面改性的氮化铝粉体，并置于球磨罐中，进行球磨混合，完成混合浆料制备；

步骤四、将步骤三所获得的混合浆料涂覆或流延到已抛光的铜基板表面，然后干燥，获得预制陶瓷铜基板坯料；

步骤五、将步骤四所获得的预制陶瓷铜基板坯料置于管式炉内完成热处理，所述热处理过程为：向管式炉内充入流动湿惰性气体，然后以1～5℃/min升温速率将管式炉加热到1020～1080℃，保温0.5h～2h，以2～4℃/min的降温速率降到400℃，最后自然冷却到室温，即可获得高导热绝缘铜基板；

步骤六、重复步骤四和步骤五，采用多次涂覆-干燥-烧结工艺制备出规定厚度、无针孔、无裂纹的高绝缘涂层。

2.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述步骤三中，球磨时间为1～48小时。

3.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述步骤四中，干燥方式为室温空气自由干燥或者70℃真空干燥。

4.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述绝缘陶瓷涂层的厚度为10～100微米。

5.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述Si、Al原子比为1:1。

6.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述Si、Al原子比为1:10。

7.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述Si、Al原子比为1:15。

8.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述铜基板的材质为纯铜或铜基复合材料。

9.根据权利要求8所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述铜基复合材料为W/Cu或Mo/Cu。

10.根据权利要求1所述的高导热绝缘铜基板的制备方法，其特征在于所述步骤五中，湿气流量控制在0.1～0.8L/min。