[发明专利]一种纳米级微结构的制备方法在审
申请号: | 201310607739.4 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN104681418A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;C01B31/02;B82Y30/00 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 微结构 制备 方法 | ||
1.一种纳米级微结构的制备方法,其包括:
提供一碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管;
将所述碳纳米管结构悬空设置,并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层,使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为2纳米~10纳米,而得到一碳纳米管复合结构;
将所述碳纳米管复合结构转移至一基板的表面,并通过一溶剂对所述碳纳米管复合结构进行处理使所述碳纳米管复合结构贴附在所述基板的表面;以及
将处理后的碳纳米管复合结构在500摄氏度~700摄氏度的温度下在空气中进行退火,去除所述碳纳米管结构,所述预制层在该温度下变为熔融态,该熔融态的预制层经过收缩,形成多个相互间隔的颗粒状微结构。
2.如权利要求1所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,通过电子束蒸镀法、磁控溅射法或原子层沉积法将所述预制层沉积于所述碳纳米管结构的表面。
3.如权利要求1所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构为多个碳纳米管通过范德华力结合形成的自支撑结构。
4.如权利要求1所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构包括至少一碳纳米管膜、至少一碳纳米管线状结构或其组合。
5.如权利要求4所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管线状结构包括至少一非扭转的碳纳米管线、至少一扭转的碳纳米管线或其组合。
6.如权利要求5所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述非扭转的碳纳米管线包括多个碳纳米管沿该非扭转的碳纳米管线长度方向平行排列,所述扭转的碳纳米管线包括多个碳纳米管沿该扭转的碳纳米管线长度方向呈螺旋状排列。
7.如权利要求4所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构包括多个层叠设置的碳纳米管膜。
8.如权利要求7所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管膜包括多个首尾相连且沿同一方向择优取向排列的碳纳米管。
9.如权利要求4所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构中多个碳纳米管沿一个方向延伸,该多个碳纳米管组成多个碳纳米管束,所述预制层包覆所述多个碳纳米管束的至少部分表面。
10.如权利要求9所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管束的直径范围为10nm~200nm。
11.如权利要求9所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述预制层完全包覆所述碳纳米管结构中的多个碳纳米管。
12.如权利要求9所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述微结构沿碳纳米管延伸的方向相互间隔排列。
13.如权利要求1所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述预制层的材料为金属、金属氧化物、金属硫化物或者非金属氧化物。
14.如权利要求1所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述溶剂为水、乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。
15.如权利要求1所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述退火的时间为5分钟~60分钟。
16.如权利要求1所述的纳米级微结构的制备方法,其特征在于,所述微结构为类球形或球形颗粒,所述微结构的尺寸大小为20纳米~100纳米。
17.一种纳米级微结构的制备方法,其包括:
提供一碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管;
将所述碳纳米管结构悬空设置,在所述碳纳米管结构的表面依次设置一第一预制层及一第二预制层,使每个碳纳米管表面的第一预制层与第二预制层的厚度之和为2纳米~10纳米,而得到一碳纳米管复合结构;
将所述碳纳米管复合结构转移至一基板的表面,并将所述碳纳米管复合结构通过一溶剂处理使所述碳纳米管复合结构贴附在所述基板的表面;以及
将处理后的碳纳米管复合结构在500摄氏度~700摄氏度的温度下进行退火,去除所述碳纳米管结构,所述第一预制层与第二预制层在该温度下变为熔融态,熔融态的第一预制层与第二预制层经过收缩,聚集成多个相互间隔的颗粒状微结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造