[发明专利]控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法

权利要求书

1.一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅；

向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层；

向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理；

对所述晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度。

2.根据权利要求1所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层为具有碳和氢成分的类聚合物膜层。

3.根据权利要求1所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层为SiO₂类膜层。

4.根据权利要求2或3所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述类聚合物膜层的厚度为10埃～300埃。

5.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，还包括以下步骤：

将残留在所述晶圆的光阻灰化去除。

6.根据权利要求1所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积气体为CH₄或者SiH₄和O₂的组合。

7.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar和/或He。

8.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，所述类聚合物膜层的厚度通过沉积时间进行控制。

9.根据权利要求4所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理，包括以下步骤：

向所述工艺腔室中通入惰性气体；

在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理；

利用终点检测法抓取所述晶圆的小尺寸开口区域暴露基底硅的瞬间，结束当前步骤，完成对所述类聚合物膜层处理的步骤。

10.根据权利要求7所述的控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，

所述对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅的工艺步骤的工艺条件为：

源功率为400～700W，偏压功率为100～300W，气压为3mt～10mt，刻蚀时间每步为10～40s，主气体为CF₄和CH₂F₂，流量为50～350sccm，辅气体为O₂，Ar，He，除氧气外的辅气体流量为50～150sccm，氧气流量为5～30sccm;

所述向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层的工艺步骤的工艺条件为：

源功率为100～1000W，偏压功率为0W～50W，沉积气体流量为10～500sccm，工艺气压为1～100mT，工艺时间为10～60s；

所述向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理的工艺步骤的工艺条件为：

源功率为100～1000W，偏压功率为50W～300W，Ar流量为10～500sccm，He流量为10～500sccm，工艺气压为1～100mT，工艺时间为10-60s；

所述对所述晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度的工艺步骤的工艺条件为：

源功率为700～1200W,偏压功率为100～200W,气压为10mt～25mt,刻蚀时间为70～100s,主气体为HBr，流量为300-500sccm,辅气体为Cl₂，NF₃，SF₆，N₂，O₂，HeO₂中的至少一种，流量为为5-50sccm。