[发明专利]一种具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法

权利要求书

1.一种具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法，包括采用管式PECVD沉积减反射膜，其特征是：管式PECVD镀膜时炉体内温度从炉口到炉尾依次设定为：380~420℃、370~410℃、360~400℃、360~400℃、360~400℃。

2.根据权利要求1所述的具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法，其特征是：采用管式PECVD镀膜时电离特殊气体时间段的功率为4500~5500W，电离特殊气体时间段的脉冲关断时间为30μs。

3.根据权利要求1或2所述的具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法，其特征是：在管式PECVD镀膜时炉体中增加一种稳压气体，所述稳压气体为氮气，所述氮气的流量为8~12slm。