[发明专利]一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜电路加工制作领域，具体涉及一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法。

背景技术

微波薄膜电路具有互连密度高、线条精度高的优点，被广泛应于通信和航天领域。微波薄膜电路加工制作一般要经过光刻、电镀、划切、调阻几个工艺步骤。其中调阻是通过热氧化、阳极氧化、激光调阻等方法使电阻阻值达到设计要求范围。在调阻的过程中需要用测试探针反复的对薄膜电阻进行阻值测试，以确定阻值是否修调到位。由于薄膜电路的导体层为金，其质地柔软，测试探针容易对其造成接触损伤。在电路表面形成许多的测试压点和划痕。一方面会影响薄膜电路表面形貌，另一个方面会对薄膜电路电性能指标产生影响。对于一些有特殊要求的薄膜电路，导线损伤会造成电路失效。比如程控衰减器薄膜电路，电路带线需要与簧片进行弹性接触，测试损伤会使电路带线表面金层凹凸不平整，容易造成簧片与电路带线接触不良，造成电路连接失效。

目前薄膜电路调阻通常采用激光调阻和手工阳极氧化调阻。关于减少薄膜电路调阻测试划伤方面，激光调阻的测试探针为机械控制，能够很好的控制测试探针的位移精度及探针测试压力，测试探针对薄膜电路带线的测试损伤少，基本能够满足薄膜电路加工制作要求。但激光调阻设备价格昂贵，动辄几百万甚至上千万，大幅度增加生产成本。

手工阳极氧化调阻主要是通过提高操作者的劳动技能，通过熟练的控制手动探针台探针的位移及探针测试压力，减少测试探针对电路带线的损伤。由手工控制探针台测试探针，探针位移精度和测试压力无法精确控制，无法避免薄膜电路带线测试损伤。薄膜电路加工质量主要取决于操作者的劳动技能水平。产品加工质量及一致性难以保证，残次率较高。

因此，现有技术有待于更进一步的改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法，避免测试探针对薄膜电路带线造成测试损伤，提高产品品质与生产效率。

为解决上述技术问题，本发明方案包括：

一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法，其包括以下步骤：

A、在镀膜陶瓷基片上涂覆一层光刻胶，再采用光刻的方法去除所述镀膜陶瓷基片非电路图形部分的光刻胶；

B、将光刻处理的所述镀膜陶瓷基片进行带胶电镀金与电镀镍保护膜，再去除剩余光刻胶；

C、采用光刻的方法涂覆光刻胶保护电路图形刻蚀非图形部分Au/TiW层；

D、再在所述镀膜陶瓷基片的图形部分及电路电阻部分涂覆一层光刻胶，刻蚀去除所述镀膜陶瓷基片之非图形部分的电阻层，形成电阻；然后再去除全部光刻胶进行阻值修正，最后腐蚀去掉电镀镍保护膜，得到薄膜电路。

所述的制备方法，其中，所述步骤A具体的包括：陶瓷基片为纯度99.6%以上的氧化铝基片或纯度98%的氮化铝基片或石英基片，其厚度范围为：0.1mm-0.65mm；采用真空溅射镀膜的方法在陶瓷基片上，涂覆一层金属复合膜，正面膜层结构为TaN/TiW/Au，反面为TiW/Au，形成所述镀膜陶瓷基片。

所述的制备方法，其中，所述步骤A具体的还包括：涂覆一层光刻胶是指采用匀胶机在所述镀膜陶瓷基片上旋转涂覆一层正性光刻胶；去除所述镀膜陶瓷基片非电路图形部分光刻胶包括光刻胶前烘、曝光、显影、坚膜步骤。

所述的制备方法，其中，所述步骤B具体的包括：进行带胶电镀金与电镀镍保护膜中，电镀金保护膜厚度为3μm-4μm，电镀镍保护膜厚度为1.5μm-2μm；采用丙酮去除所述剩余光刻胶。

所述的制备方法，其中，所述步骤C具体的包括：采用腐蚀液去除非电路部分的Au/TiW层。

所述的制备方法，其中，所述步骤D具体的包括：用反应离子刻蚀设备去除所述镀膜陶瓷基片之非电阻部分的TaN层，形成电路电阻。

所述的制备方法，其中，所述步骤D具体的包括：用丙酮去除光刻胶，用阳极氧化的方法修调所述镀膜陶瓷基片上薄膜电阻的阻值，直至使阻值达到要求。

所述的制备方法，其中，所述步骤D具体的还包括：采用三氯化铁溶液腐蚀去掉电镀镍保护膜。