[发明专利]单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310602911.7 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103603055A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 闫英丽;汤欢;范志东;马继奎 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 抛光 方法 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种单晶硅片的抛光方法，其特征在于，将制绒后的所述单晶硅片的用于制作背场的背面置于抛光液中、正面置于所述抛光液外进行化学抛光。
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光液为硝酸和氢氟酸的混合液。
3.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光液中所述硝酸和所述氢氟酸的体积比为10:1～15:1，所述硝酸的质量百分比浓度为55～75%，所述氢氟酸的质量百分比浓度为30～50%，抛光时间为3.77～5.48分钟。
4.根据权利要求3所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光液中所述硝酸和所述氢氟酸的体积比为12:1～14:1，所述硝酸的质量百分比浓度为60～70%，所述氢氟酸的质量百分比浓度为35～45%，抛光时间为4.12～5.02分钟。
5.根据权利要求4所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光液中所述硝酸和所述氢氟酸的体积比为13:1，所述硝酸的质量百分比浓度为65%，所述氢氟酸的质量百分比浓度为40%，抛光时间为4.54分钟。
6.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于，所述硝酸的自动补液量为0.2～0.6L/100片，所述氢氟酸的自动补液量为0.1～0.3L/100片。
7.一种太阳能电池片的制作方法，包括对单晶硅片抛光的步骤，其特征在于，所述抛光步骤采用权利要求1至6中任一项所述的抛光方法实施。
8.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片采用权利要求7所述的制作方法制作而成。
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