[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201310602849.1 | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN103632998A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 凌复华;刘忆军;吴凤丽;姜崴;葛研;郑旭东 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,包括若干处理单元,其特征在于,所述处理单元包括:
第一处理腔,具有第一墙及由所述第一墙包围形成的第一处理空间;
第二处理腔,具有第二墙及由所述第二墙包围形成的第二处理空间;
设置于所述第一处理腔与所述第二处理腔之间的连接件,所述连接件将所述第一、第二处理腔可拆卸地连接;
气体供应系统,包括连通于所述第一处理空间的第一气体分配单元及连通于所述第二处理空间的第二气体分配单元;以及
排气系统,包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道,所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述处理单元还包括连通于所述第一处理空间与所述第二处理空间之间的环境匹配通道。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述环境匹配通道包括连通于所述第一处理空间的第一匹配通道及连通于所述第二处理空间的第二匹配通道,所述第一、第二匹配通道共同连通于氮气回填管道,所述氮气回填管道上具有开关阀。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一匹配通道包括形成于所述第一墙内且连通于第一处理空间的第一墙内通道,及连接于所述第一墙内通道与所述氮气回填管道之间的第一墙外通道;所述第二匹配通道包括形成于所述第二墙内且连通于第二处理空间的第二墙内通道,及连接于所述第二墙内通道与所述氮气回填管道之间的第二墙外通道。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一处理腔、第二处理腔分别具有第一侧墙及第二侧墙,所述连接件包括一个或多个安装于所述第一侧墙及所述第二侧墙之间的紧固件。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述连接件还包括安装于所述第一侧墙及所述第二侧墙之间的加强件。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一侧墙、第二侧墙上分别形成有第一安置孔及第二安置孔,所述加强件包括插置于所述第一、第二安置孔内的定位销。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述加强件还包括位于所述第一、第二安置孔外的间隔件,所述间隔件处于所述第一侧墙与所述第二侧墙之间。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一安置孔内安置有套接于所述定位销上的第一钢套,所述第二安置孔内安置有套接于所述定位销上的第二钢套。
10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一排气通道包括形成于所述第一墙内且连通于第一处理空间的第三墙内通道,及连接于第三墙内通道与抽气泵之间的第三墙外通道;所述第二排气通道包括形成于所述第二墙内且连通于第二处理空间的第四墙内通道,及连接于第四墙内通道与抽气泵之间的第四墙外通道。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第三墙外通道与所述第四墙外通道共同连通于一排气腔,所述排气腔与所述抽气泵之间连接有一主抽管路及一旁抽管路,所述主抽管路上设有主控制阀,所述旁抽管路上设有旁抽角阀。
12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述排气腔一侧还设置有一检漏单元。
13.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一气体分配单元与所述第二气体分配单元共同连通于同一个气体源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造